核心观点
　　NAND：CFM称部分原厂NAND产能转向先进制程，预计2025年下半年1Tb NAND供应增加。根据DRAMexchange，上周（20250623-0627）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至3.82%，平均涨跌幅为1.56%。其中5个料号价格持平，17个料号价格上涨，0个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，2025年下半年起，部分存储原厂产能将陆续切换新制程，推动单die 1Tb NAND供应增长，并积极在手机、PC、服务器等应用领域加速客户认证工作。未来，随着原厂产能向大容量NAND逐渐倾斜，加上国内厂商产能快速爬坡，市场竞争将进一步加剧。
　　DRAM：美光在1-gamma DRAM技术节点已取得显著进展。根据DRAMexchange，上周（20250623-0627）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.14%至24.70%，平均涨跌幅为9.19%。上周18个料号呈上涨趋势，0个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，美光在1-gamma DRAM技术节点已取得显著进展，其良率提升速度甚至超过了此前1-beta节点创下的纪录。该季度美光完成了多项关键产品里程碑，包括基于1-gamma的LPDDR5DRAM首批认证样品的出货。
　　HBM：AMD发布新AI芯片MI350系列，MI355XHBM3E内存容量是英伟达GB200/B200的1.6倍。根据CFM闪存市场报道，AMD发布了专为AI工作负载打造的全新MI350系列GPU--MI350X和MI355X。其中，MI350X和MI355X采用相同的底层设计，配备高达288GB的HBM3E内存、8TB/s的内存带宽，并新增对FP4和FP6数据类型的支持。在与NVIDIAB200和GB200的对比中，MI355X的HBM3E内存容量是英伟达GB200/B200的1.6倍，内存带宽则基本持平。在峰值FP64/FP32性能上，MI355X拥有2倍优势。
　　市场端：LPDDR4X供应趋紧再度上调现货价格，渠道市场回归理性下DDR4内存条高位横盘。根据CFM闪存市场报道，随着原厂减产效果显现，LPDDR4X供应整体满足率偏低，其现货行情仍以资源导向为主，多数存储厂商坚定涨价态度，上周LPDDR4X产品价格普遍小幅攀升，个别行业DDR4内存条跟随部分资源涨价也顺势抬高报价；而渠道端因已持续一个多月的上涨行情，近期市场有所降温并渐趋理性，渠道DDR4价格上涨难度大而普遍高位横盘。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。