报告要点：
　　1）二季度DRAM整体价格上涨超预期。价格的上涨主要来自供应链供需结构的持续优化。下游AI需求带动产业主要原厂技术升级加速和在利基型存储芯片上的退出。从趋势上看，三季度价格仍有望保持一定的上涨空间。
　　2）从供应端角度，我们认为25年是DRAM行业供应结构变化的重要节点。这体现在原厂加速退出DDR4产品供应，下游AI需求刺激带动DDR5/LPDDR5/HBM产品比重加速提升。由英伟达联合三大原厂推动的基于LPDDR5x的SOCAMM标准将加速行业的技术路线的革新。
　　3）AI的端侧应用有望加速DRAM行业增长。Dram存储芯片成长逻辑逐步从价格驱动转向需求驱动。
　　4）根据25-27年整体供需模型，Dram存储芯片的供需结构将持续改善。
　　5）DRAM向3D化发展带动Hybrid bonding的技术发展。
　　建议关注
　　存储芯片：兆易创新
　　内存接口芯片：澜起科技
　　存储模组：江波龙、佰维存储
　　测试设备：精智达
　　风险提示
　　上行风险：DRAM颗粒价格加速上行；下游需求出现明显回暖；国产替代进程提速
　　下行风险：宏观经济下行；DRAM价格回暖不及预期；国产厂商产能释放不及预期；其他系统性风险