核心观点
　　NAND：铠侠计划五年内将产量翻一番，以满足AI数据中心对NAND需求。根据DRAMexchange，上周（20250609-0613）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.86%至5.14%，平均涨跌幅为1.30%。其中5个料号价格持平，15个料号价格上涨，2个料号价格下跌。根据科创板日报报道，日本NAND闪存巨头铠侠（Kioxia）公布其中长期业务计划，旨在通过扩大其在日本的两家主要工厂，四日市工厂和北上工厂的生产线，到2029财年将产能较2024财年翻一番，以满足人工智能数据中心对NAND闪存日益增长的需求。
　　DRAM：十铨称看好Q3 DRAM价格续扬。根据DRAMexchange，上周（20250609-0613）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.86%至20.14%，平均涨跌幅为10.50%。上周18个料号呈上涨趋势，0个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，十铨看好，2025年第三季DRAM价格预期续扬，对全年营运持审慎乐观态度，前瞻对应AI与高效能运算等应用需求。
　　HBM：美光12层36GBHBM4宣布送样，2026年量产。根据CFM闪存市场报道，美光科技宣布已向多家重要客户交付36GB 12层HBM4样品。美光HBM4采用1β (1-beta) DRAM制造，与上一代HBM3E产品相比，能效提升20%以上，这项改进能够以最低功耗实现最大吞吐量，从而最大限度地提高数据中心效率。美光HBM4采用2048位接口，每个内存堆栈的速度超过2.0 TB/s，性能较上一代提升60%以上，将帮助AI加速器更快地响应并更有效地进行推理。美光计划于2026年量产HBM4。
　　市场端：DRAM成品现货普遍续涨。根据CFM闪存市场报道，现货旧制程DRAM资源供应缺货涨价延续，存储厂商针对渠道内存条、行业内存条及LPDDR4X等产品现货价格坚定持报涨态度。另外，由于存储原厂停止生产MLCNAND和256Gb TLCNAND，部分资源仍处于供不应求状态，相应低容量嵌入式成品紧随资源涨价快速拉涨现货价格。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等