核心观点
　　NAND：三星电子正开发结合NAND的“混合CXL”模块。根据DRAMexchange，上周（20250512-0516）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.45%至2.78%，平均涨跌幅为0.64%。其中13个料号价格持平，8个料号价格上涨，1个料号价格下跌。根据科创板日报报道，三星电子正在开发将NAND闪存与Compute ExpressLink（CXL）模块相结合的产品，目标在2027年实现商业化。
　　DRAM：2025年一季度全球DRAM市场规模同比增长42.5%至267.29亿美元。根据DRAMexchange，上周（20250512-0516）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.29%至7.51%，平均涨跌幅为3.29%。上周17个料号呈上涨趋势，1个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，2025年一季度在AI服务器保持稳健推动对服务器DRAM需求，PC和移动需求复苏力度也较预期更为明显，此外叠加关税触发的部分补库存需求的共同影响下，2025年一季度整体表现优于预期，全球DRAM市场规模同比增长42.5%至267.29亿美元，环比减少8.5%。
　　HBM：HBM4量产在即，键合设备厂商率先卡位。根据CFM闪存市场报道，韩国半导体设备厂商韩美半导体宣布，将推出用于生产HBM4的专用设备“TCBONDER 4”。该设备针对HBM4对精度要求更高的特点，与同类产品相比，生产效率和精度均有大幅提升。HBM4是第六代高带宽存储器，与现有的HBM3E相比，数据传输速度提高约60%，功耗降低近30%，预计AI和高性能计算（HPC）市场的需求将激增。TSV（硅通孔）接口数量增加到2048个，是HBM3E的两倍。HBM4最多支持16层，每个DRAM的容量也从24Gb扩展到32Gb。
　　市场端：部分LPDDR4X资源供应紧张，上周现货市场多数LPDDR4X产品价格大幅拉涨。根据CFM闪存市场报道，DRAM原厂自2024年三季度以来相继宣布减产/转产LPDDR4X，使得现货市场相应LPDDR4X产品出现供应趋紧现象，令上周LPDDR4X价格大幅拉涨。长期来看，多数DRAM原厂仍秉持控产且保利润的态度，需求端虽传统消费电子产品销售未见明显好转，但LPDDR4X在部分移动设备中仍是刚需，未来因LPDDR4X产能缩减而令资源供应趋紧的现象或将持续。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。