核心观点
　　NAND：2024年Q4 NANDFlash营收季减6.2%，预期NANDFlash产业2025年下半年可望重回上升轨道。根据DRAMexchange，上周（20250303-0307）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.81%至3.53%，平均涨跌幅为0.60%。其中11个料号价格持平，10个料号价格上涨，1个料号价格下跌。根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季NANDFlash整体产业营收可能季减高达20%。随着减产加上价格于第一季逐步触底，预期NANDFlash产业下半年可望重回上升轨道。
　　DRAM：美光在MWC展示1γ第六代10纳米级DRAM节点DDR5内存。根据DRAMexchange，上周（20250303-0307）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.72%至3.45%，平均涨跌幅为0.89%。上周12个料号呈上涨趋势，6个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据科创板日报报道，美光在MWC展示了刚发布不久的1γ（1-gamma）第六代（10纳米级）DRAM节点DDR5内存，今年第二季度，美光将向合作伙伴提供1γ LPDDR5X 16GB产品样品，用于2026年旗舰智能手机。
　　HBM：三星电子HBM3E或在2025Q2开始交付。根据CFM闪存市场报道，自2024年第三季度以来，三星电子8层和12层堆叠HBM3E产品已进入量产和销售阶段，并在2024年第四季度将HBM3E的供应扩展到多个GPU提供商和数据中心客户，HBM3E的销售额超过了HBM3。目前，HBM3E优化工作也按计划进行，尽管计划从2024第四季度末开始量产并为一些客户启动供应，但优化产品的供应量可能要到2025第二季度才开始明显增加，三星电子预计全面交付将从2025年第二季度开始。
　　市场端：低价资源紧缺效应仍在发酵，渠道SSD价格再度续涨。根据CFM闪存市场报道，受益于低价资源短缺且持续涨价，成本上移助推部分渠道SSD成品价格连涨两周，而内存条因受低端货源过多冲击，加之需求萎靡，令上周多数渠道内存条价格有所下调；大容量UFS供应充足、客户价格接受度较低，需求端主要以观望态度为主；唯行业价格保持不变。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。