美光4Q业绩持续复苏，HBM3E产品落地加速
　　美光FY1Q24 (CY4Q23，截至2023年11月30日)营收47亿美元，环比增长18%，略高于彭博预期（45亿美元），符合公司此前指引（47亿美元）。Non-GAAPEPS为-0.95美元，好于彭博预期（-1.00美元）与此前指引(-1.00美元)。展望FY2Q24：美光指引营收为51~55亿美元，高于彭博一致预期（50亿美元）；美光指引Non-GAAPEPS为-0.35~-0.21美元，高于彭博预期的-0.62美元。从本次业绩会，我们看到以下行业趋势：1）需求端，除数据中心市场外各下游市场库存已基本正常化，数据中心库存有望在1H24恢复正常水平，AI手机与PC将通过销量与单机容量推动需求量增。2）供给端，美光预计24年行业供给增速仍将低于需求增速；美光资本开支将因HBM投入而恢复增长。3）价格端，美光预计24年价格将继续走强，25年供需环境仍较健康。4）美光HBM3E产品落地加速，目前已在英伟达GH200与H200进行最后验证，公司预计于24年初量产，与海力士三星差距缩小。
　　美光4Q：价格回暖带动营收稳步改善，AI相关产品量增明显
　　美光FY1Q24 DRAM与NAND营收环增24%与2%，收入增长主要来源于价格回暖。Bit出货量：DRAM bit出货量环增约22%，NAND环降15%，导致营收增速慢于DRAM。ASP：DRAM价格环增低个位数，NAND价格环增20%，价格回暖趋势持续。分业务领域：AI相关产品带动数据中心需求回暖，出货量增长推动CNBU板块营收显著改善，环比增长45%，MBU业务在手机需求量增的带动下环比增长7%，汽车与工业库存正常化推动EBU业务环增21%；1Q展望：美光预计2024年行业供需环境将继续好转，营收指引为51~55亿美元，毛利率指引为11.5%~14.5%，业绩稳步改善。
　　需求端：预计24年需求增速高于供给，数据中心库存1H24正常化
　　美光表示目前除数据中心外主要领域库存水平已恢复正常水平，数据中心市场库存将于1H24正常化。美光预计24年全球手机出货量小幅增长，2024年将推出AI手机，单机DRAM容量将增加4-8GB；数据中心市场，美光预计24年服务器出货量增速将达5%，AI加速卡客户需求较强，同时SSD也将维持涨势；PC市场，美光预计24年PC销量增长2%~5%，预计AIPC在2H24量产，单机内存需求有望增加4-8GB，SSD容量也有望实现增长；工业市场客户端库存恢复正常，渠道库存持续改善。美光预计24年DRAM与NAND需求增速将分别恢复至接近15%与略低于22%的长期CAGR。
　　供给端：FY24资本开支恢复增长，美光HBM3E进入验证阶段
　　美光预计24年DRAM与NAND行业供给增速将低于需求增速，库存水平将下降，美光FY2024计划资本开支因HBM投入将恢复增长，预计全年资本开支75~85亿美元，而WFE开支仍将减少。美光HBM3E产品进展迅速，目前已在英伟达进行最后验证，将应用于GH200与H200，产品反馈较好，性能与功耗均优于竞品。美光预计HBM3E在24年初量产，并将在FY2024实现约几百万美金收入，预计25年HBM收入份额将超过DRAM。
　　风险提示：下游需求复苏不及预期，中美贸易摩擦加剧，本研报中涉及到未上市公司或未覆盖个股内容，均系对其客观公开信息的整理，并不代表本研究团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。