砷化镓：具有高频、抗辐射、耐高温的特性，大规模应用于无线通讯领域，目前已经成为PA  和  Switch  的主流材料；氮化镓：主要被应用于通讯基站、功率器件等领域，功放效率高、功率密度大，因而能节省大量电能，同时减少基站体积和质量；碳化硅：主要用于大功率高频功率器件，IHS  预测到  2025  年 碳化硅功率半导体的市场规模有望达到  30  亿美元，在未来的  10  年内，碳化硅器件将开始大范围地应用于工业及电动汽车领域，近期碳化硅产业化进度开始加速，意法、英飞凌等中游厂商开始锁定上游晶圆货源。
        5G  提速，射频市场有望高速成长。4  月初，美、韩率先宣布  5G  商用，日本向四大运营商分配  5G  频段，预计明年春正式商用。在海外  5G  积极推进商用的节奏下，全球  5G  推进提速预期强烈，从基站端到终端射频需求都有望加速增长。在射频器件领域，目前横向扩散金属氧化物半导体、砷化镓、氮化镓三者占比相差不大，预计到  2025  年，在砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分横向扩散金属氧化物半导体份额，占据射频器件市场半壁江山。
        汽车电气化推动碳化硅市场快速成长。据半导体 insights  预测，2021  年汽车集成电路市场将会增长到  436  亿美元，2017  年到  2021  年之间的复合增长率为12.5%，为集成电路领域复合增长率最高的下游应用。同时，随着汽车电气化进程不断推进，尤其是电动车等新能源汽车的逐渐普及，使汽车硅含量不断提升，电动车以及由此带动的各类基础设施建设将成为碳化硅市场的主要驱动力。
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        风险提示：下游需求不及预期、5G  进展不及预期、汽车电气化进展不及预期。