>> 华源证券-中富电路(300814)AI垂直供电“通胀”+架构演化,26H2放量可期-260928
| 上传日期: |
2026/9/28 |
大小: |
310KB |
| 格式: |
pdf 共3页 |
来源: |
华源证券 |
| 评级: |
增持(首次) |
作者: |
查浩,高博禹 |
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中富电路客户涵盖Flex Power/MPS/台达/瑞萨/TI/ADI等头部AI电源模组厂商。(1)公司积极布局AI电源相关业务,已与多家海外算力相关客户展开合作,客户包括Flex Power、MPS、台达、瑞萨、TI、ADI、威迈斯、Vertiv、NCAB、AE、Asteelflash、Lacroix、Lenze、Schneider、Jabil、比亚迪、瑞声、歌尔、立讯等;(2)公司大力开发AI电源相关的产品,并持续挖掘其它各细分领域高可靠性、高性能要求、高技术指标的印制电路板业务需求。 AI芯片功耗膨胀+空间拥挤催化垂直供电需求,VPD对PCB提出先进封装需求。(1)传统CPU/GPU供电为横向供电架构,48V/54V经Intermediate Bus Converter降至12V等中间电压,再由GPU/CPU周围多相VR降到约1V;(2)芯片功率向1kW+演化,三次供电电流达到1000A以上,PDN热损耗显著提升,同时带来瞬态响应和供电稳定性问题。另外,GPU板载空间有限,HBM、DDR、PCIe等器件空间膨胀,传统VRM、电感和大面积铜层空间逐步受到挤压;(3)根据英飞凌估计,后续芯片级电源预计走向垂直供电+内埋路线,第一阶段仍是传统Discrete/Lateral供电,但随着GPU电流进入约850—1000A以上,供电方案演化为Backside Vertical Module,把电源放到处理器背面,PDN电阻目标可降至10-15μΩ,第三阶段则进一步走向SIVR,将VR模组向封装基板内部集成,预计使PDN电阻进一步降至7-10μΩ;(4)伴随前述技术路径的演进,以及功率密度的快速提升,AI电源对PCB将提出高多层、高阶HDI厚铜的技术需求,三次电源采用的VPD技术对PCB提出了先进封装要求,PCB还需满足高耐压、高电流、高散热的要求,我们预计VPD对应产品价值量也将实现大幅提升。 AI电源在手订单充足。公司形成了沙井工厂、松岗工厂、鹤山工厂、泰国工厂四个生产基地的产业布局,泰国工厂2025年一季度起产能逐步释放,目前处于批量生产阶段。截至2026年6月,中富电路已经通过多家海外客户审核,受益于AI一次电源和二次电源订单的导入认证,在手订单增长较快。2026年下半年开始,随着在手订单的逐步交付兑现,我们预计中富电路AI客户收入占比将持续提升。AI电源PCB细分领域竞争格局较为稳定,三次电源VPD架构要求产品适配先进封装形态,公司在技术积累以及产线设备布局层面均已形成一定壁垒,叠加北美客户认证周期较长,供应商选择相对稳定。 盈利预测与评级:我们预计公司2026-2028年归母净利润分别为0.76/ 3.08/ 4.05亿元,同比增速分别161.92%/ 302.94%/ 31.83%,当前股价对应的PE分别为347.15/ 86.15/ 65.35。鉴于公司AIDC电源订单充足,产能持续扩张,首次覆盖,给予“增持”评级。 风险提示:AIDC电源研发不及预期;竞争格局恶化;贸易风险等。
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