事件：公司发布2025年三季报
　　【25Q1-Q3】营收80.6亿元，同比+46.4%；归母净利12.1亿元，同比+32.7%；扣非净利8.9亿元。同比+9.1%；毛利率39.1%，同比-3.1pcts；归母净利率15%，同比-1.6pcts。公司归母净利同比增速低于营收，主要系：1）公司加大研发投入，25Q1-Q3研发费用率达22.25%，同比+5.65pcts，但销售费用和管理费用得以控制，整体期间费用率同增2.5pcts；2）由于市场波动，公司2025年前三季度计入非经常性损益的股权投资收益为3.29亿元，较上年同期增加约2.75亿元。
　　【25Q3】营收31亿元，同增50.6%，环增11.3%；归母净利5.05亿元，同增27.5%，环增28.6%；扣非归母净利3.5亿元，同增5.4%，环增44.7%；毛利率37.9%，同降5.8pcts，环降0.6pcts；归母净利率16.3%，同降3pcts，环增2.2pcts。
　　公司归母净利率环增，主要系公司期间费用率得以控制，25Q3期间费用率为29.1%，环比-1.4pcts，其中主要系研发费用率从25Q2的23.4%降低到了Q3的21.9%。
　　合同负债快速增长，高强度研发加速设备拓展。
　　25Q3末公司合同负债（预收款）43.89亿元，相较于2024年末的25.86亿元增长70%，显现良好的在手订单增长态势。与此同时，公司保持高强度研发，使得净利有所承压，2025年前三季度公司研发支出25.23亿元，较去年同期增长约63.44%，研发支出占公司营业收入比例约为31.29%。目前公司在研项目涵盖六大类，超过二十款新设备的开发。公司研发新产品的速度显著加快，过去通常需要三到五年开发一款新设备，现在只需两年或更短时间就能开发出有竞争力的新设备，并顺利进入市场，公司有望在未来几年更大规模地推出新产品。
　　品类持续拓展，先进设备研发取得重要突破
　　1）刻蚀领域：公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。其中CCP方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。加工的精度和重复性已达到单原子水平。25Q1-Q3公司刻蚀设备收入61.01亿元，同比增长约38.26%。
　　2）薄膜沉积领域：公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场，并且设备性能完全达到国际领先水平，薄膜设备的覆盖率不断增加。公司硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。25Q1-Q3公司LPCVD和ALD等薄膜设备收入4.03亿元，同比增长约1332.69%。
　　3）泛半导体设备领域：公司正在开发更多化合物半导体外延设备，已陆续付运至客户端开展生产验证。
　　盈利预测：
　　考虑公司前三季度表现，并预期后续随着产品矩阵完善，公司研发费用率得以管控，我们调整公司2025-27年归母净利预测为21/30/43亿元（原2025-27年归母净利润预期为21/30/40亿元），对应PE分别为88/61/43X。展望2025年公司订单需求旺盛，业绩向上趋势显著，维持“买入”评级。
　　风险提示：
　　刻蚀/MOCVD设备新品市场开拓不及预期；先进封装需求不及预期；下游客户招标不及预期。