>> 东吴证券-机械设备行业跟踪周报:持续推荐PCB设备进口替代逻辑;建议关注固态电池设备和人形机器人持续产业催化-250914
| 上传日期: |
2025/9/14 |
大小: |
1220KB |
| 格式: |
pdf 共23页 |
来源: |
东吴证券 |
| 评级: |
增持 |
作者: |
周尔双,韦译捷,李文意 |
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1.推荐组合:北方华创、三一重工、中微公司、恒立液压、中集集团、拓荆科技、海天国际、柏楚电子、晶盛机电、杰瑞股份、浙江鼎力、杭叉集团、先导智能、长川科技、华测检测、安徽合力、精测电子、纽威股份、芯源微、绿的谐波、海天精工、杭可科技、伊之密、新莱应材、高测股份、纽威数控、华中数控。 2.投资要点: 【PCB设备】Oracle26Q1RPO大超预期,重视算力链PCB设备机遇 2025年9月10日,Oracle召开FY26Q1电话会,截至26Q1末,公司剩余履约义务(RPO)达到4550亿美元,同比+359%。另外公司指引接下来几个月中将持续签署新合同,届时RPO可能超5000亿美元。由此可见AI算力需求空间潜力较大。 AI算力服务器推动PCB向高端发展,钻孔环节加工难度显著提升。以英伟达GB200为例:Compute Tray采用(5+12+5)结构的22层5阶HDI,Switch Tray采用(6+12+6)结构的24层6阶HDI。而过往智能手机中使用的HDI板仅为1-2阶,HDI正向高阶发展。高阶HDI通/盲/埋孔数量均有提升,钻孔加工难度显著提升,钻孔设备为设备端最受益环节。 国内以胜宏科技、沪电股份、东山精密、深南电路、景旺电子、方正科技为代表的头部PCB公司都在积极扩产高阶HDI产能,以在未来算力服务器PCB市场中争夺优质订单。PCB厂商的持续扩产,将带动钻孔设备需求显著提升。 建议关注PCB生产核心钻孔、曝光、电镀环节:其中钻孔环节重点推荐设备端【大族数控】(机械钻孔+激光钻孔均有布局),建议关注耗材端【鼎泰高科】【中钨高新】(钻针),曝光建议关注【芯碁微装】,电镀环节建议关注【东威科技】,锡膏印刷环节建议关注【凯格精机】【劲拓股份】。 【固态电池设备】龙头设备商持续交付固态电池关键设备,产业化稳步推进中。 近期,先导智能先后向国内外多家知名电池制造商、汽车主机厂、新兴固态电池企业交付多套适配固态电池规模化产线的干法混料涂布设备。本轮交付的设备为量产型正负极一体化干法混料涂布系统,覆盖可控喂料、成膜、减薄、集流体复合及质量检测等全工序。系统机械速度最高100 m/min,可匹配单线5–8GWh产能,产品幅宽1000 mm、厚度40–300μm,并兼容2–6条干法极片并行高效生产。产线实测显示,先导智能干法混料涂布系统可降低≥35%生产能耗,材料与制造综合成本降幅>15%。此外,该系统充分适配不同固态电池材料体系,包括石墨/硅碳负极、三元/铁锂正极及多种全固态电极材料。工信部项目预计2025年底前进行中期审查,目前固态电池难点主要在于制造环节,预计2025-2026年进入中试线落地关键期,设备迎来持续迭代优化阶段。投资建议:重点推荐固态电池设备整线供应商【先导智能】、激光焊接设备商【联赢激光】、化成分容设备商【杭可科技】,建议关注干/湿法电极设备商【赢合科技】、干法电极&模组PACK【先惠技术】、整线供应商【利元亨】、干法电极设备商【曼恩斯特】、干法辊压机【纳科诺尔】、干法电极设备商【华亚智能】等。 【人形机器人】宇树/特斯拉核心催化在即,人形机器人再迎板块性机遇 人形机器人板块近期催化不断:①Tesla optimus官方发布机器人最新外观(金色外形),整体在紧凑度上也有明显提升。②拓斯达首发具身智能机器人新品,搭载智谱AI大模型,具有使用思维链进行复杂任务推理的能力,可在仓储或工厂环境中执行物料分拣、检测与摆盘,车间巡检等操作。中长期来看,特斯拉Gen3和宇树上市均有望在25年末&26年初落地,目前来看在A股中是为数不多拥有明确性催化的板块,且催化级别较高。一方面,Gen3有望带来硬件多方面的设计变更;另一方面,宇树上市有望领涨板块。因此在有明确催化的前提下,我们的观点是继续看好+建议聚焦核心标的。 建议关注以下核心标的: 1)T链核心:拓普集团、浙江荣泰、恒立液压、绿的谐波、奥比中光、双环传动、科达利、新瀚新材等 2)宇树链核心:首程控股、华锐精密、美湖股份、长盛轴承等 3)潜在核心标的:新坐标(手部丝杠送样),高测股份(键绳+行星减速机)。 【碳化硅】英伟达新一代GPU有望采用碳化硅中介层,SiC新应用打开新成长空间 英伟达计划在新一代GPU芯片的CoWoS工艺中以碳化硅取代硅中介层,预计2027年导入。英伟达GPU芯片从H100到B200均采用CoWoS封装(芯片-晶圆-基板)技术。CoWoS通过将多个芯片(如处理器、存储器等)高密度地堆叠集成在一个封装内,显著缩小了封装面积,并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着GPU芯片功率增大,将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。SiC凭借其高热导率和高工艺窗口,有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸。以当前英伟达H1003倍光罩的2,500 mm2中介层为例,假设12英寸碳化硅晶圆可生产21个3倍光罩尺寸的中介层,2024年出货的160万张H100若未来替换成碳化硅中介层,则对应76,190张衬底需求。台积电预计2027年推出7×光罩CoWoS来集成更多处理&存
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