核心观点
　　事件：根据行家说三代半公众号信息，英伟达计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用碳化硅衬底，作为中介层材料。根据集邦化合物半导体公众号信息，台积电正计划将12英寸单晶碳化硅应用于散热载板，取代传统的氧化铝、蓝宝石基板或陶瓷基板。
　　我们的观点：碳化硅材料在先进封装中具备较高应用潜力，有望打开产业成长空间。部分投资者认为，由于碳化硅车型在新能源车领域的渗透率逐步迈向较高水平等原因，碳化硅材料未来发展空间可能受限。但我们认为，碳化硅材料在高端算力芯片中的应用潜力尚未完全挖掘。未来，碳化硅材料有望应用于算力芯片的先进封装等环节，打开产业成长空间。
　　AIGPU功率持续提升，芯片封装散热要求提高。AI服务器的GPU的性能持续提升，其芯片功率也不断提高。根据行家说三代半公众号数据，英伟达GPU芯片功率持续提升，从H200的700W提高到了B300的1400W。GPU的封装目前主要依赖于CoWoS封装技术，其通过将多个芯片高密度地堆叠集成在一个封装内，显著缩小了封装面积。随着GPU功率持续提升，芯片封装散热要求提高，可透过优化材料提升散热能力。根据行家说三代半公众号，台积电认为目前业界仍然依赖于传统的热界面材料和热堆叠结构来解决CoWoS封装散热问题，存在优化的空间。台积电提到的优化方式包括优化热沉片和热界面的材料等。
　　碳化硅材料导热性能优异，有望应用于芯片封装。碳化硅晶体具有很高的导热性能，热导率可达500W/mK，相比之下，硅的热导率仅为约150 W/mK。基于碳化硅晶体优异的导热性能，其在散热要求更高的环境中具有一定应用潜力。首先，中介层散热性能要求提高，碳化硅具备较大的应用潜力。中介层是CoWoS封装平台的核心部件之一，目前主要由硅材料制作。随着英伟达GPU芯片的功率越来越大，将众多芯片集成到硅中介层将导致更高的散热性能要求，而如果采用导热率更好的SiC中介层，其散热片尺寸有望大幅缩小，优化整体封装尺寸。基于此，部分头部公司已经注意到碳化硅在中介层中的应用潜力。此外，碳化硅也有望在散热载板中得到应用。目前主要的陶瓷材料热导率均低于单晶碳化硅，若采用碳化硅作为散热载板，有望进一步提高散热效率。
　　投资建议与投资标的
　　碳化硅导热性能优异，有望在中介层、散热基板等环节应用，相关厂商有望受益。相关标的：碳化硅衬底行业领军者天岳先进；布局碳化硅衬底业务的头部功率器件厂商三安光电。
　　风险提示
　　汽车需求不及预期，AI落地不及预期，竞争格局变化，碳化硅衬底降本情况不及预期，碳化硅衬底制造工艺进步不及预期。