核心观点
　　NAND：佰维存储称NAND供需失衡情况已明显改善。根据DRAMexchange，上周（20250818-0822）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.90%至1.18%，平均涨跌幅为-0.15%。其中11个料号价格持平，5个料号价格上涨，6个料号价格下跌。根据证券时报网报道，佰维存储在2025年半年度业绩交流会上表示，2025年一季度，闪迪、长存、美光等存储企业已经分别发布涨价函，个别产品的价格已经有所企稳回升。经过2025上半年的减产与库存去化，NAND供需失衡情况已明显改善。
　　DRAM：2Q25全球DRAM市场规模321.01亿美元，环比增长20%。根据DRAMexchange，上周（20250818-0822）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.47%至4.59%，平均涨跌幅为0.55%。上周11个料号呈上涨趋势，7个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高。
　　HBM：SK海力士称预计到2030年定制HBM市场规模将增长到数百亿美元。根据CFM闪存市场报道，SK海力士预计到2030年定制HBM市场规模将增长到数百亿美元。由于SK海力士和三星、美光等竞争对手采用不同的技术构建下一代HBM4，HBM4产品包括客户特定的逻辑芯片或“基础芯片”，有助于管理内存。
　　市场端：上周存储现货市场以持稳为主，行业DDR4内存条与LPDDR4X产品高位盘整。，根据CFM闪存市场报道，2025年三季度中旬，通用型DRAM现货市场渐趋回归平静，行业DDR4内存条和LPDDR4X均高位盘整；嵌入式eMMC产品因部分客户备货积极性不高，市场活跃度有限；行业和渠道SSD短期则维持稳定。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。