核心观点
　　NAND：三星电子考虑对DRAM内存和NAND闪存产品提价3%~5%。根据DRAMexchange，上周（20250407-0411）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至2.78%，平均涨跌幅为0.94%。其中6个料号价格持平，16个料号价格上涨，0个料号价格下跌。根据科创板日报援引韩国每日经济新闻报道，三星电子正同全球主要客户就对DRAM内存和NAND闪存的产品价格上调3%~5%进行商讨，部分新合同的谈判已然启动。
　　DRAM：SK海力士1c nm DRAM内存良率约为80%，触及量产及格线。根据DRAMexchange，上周（20250407-0411）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.25%至2.48%，平均涨跌幅为0.55%。上周16个料号呈上涨趋势，1个料号呈下降趋势，1个料号价格持平。根据科创板日报援引韩国hankooki新闻报道，SK海力士的1c nmDRAM内存工艺近期良率约为80%，较去年下半年的六成有明显提升。一般而言DRAM内存工艺在良率达到80%~90%时就可进入正式量产，SK海力士的1c nm制程即将达到大规模生产所需的水平。
　　HBM：SEMI称2024年全球半导体设备出货金额或升至1171亿美元，主要受益于HBM等。根据科创板日报报道，国际半导体产业协会（SEMI）报告指出，全球半导体制造设备出货金额2024年达到1171亿美元，相较2023年的1063亿美元增长10%。其中晶圆加工设备的销售额增长了9%，其它前端细分领域的销售额增长了5%。这一增长主要得益于在先进逻辑、成熟逻辑、先进封装和高带宽存储器（HBM）产能扩张方面的投资增加，以及中国投资的大幅增长。
　　市场端：关税冲击下引发市场担忧，本周存储现货普遍处于横盘调整阶段。根据CFM闪存市场报道，关税风暴还在继续，虽目前原厂陆续进行新季度议价谈判，但最终产品价格还未敲定，存储现货市场无论是海外还是国内，市场流速暂缓，供应和需求上短期未出现太大的波动，但实则暗流涌动；手机、PC、TV等终端厂商普遍正评估因关税带来的影响，而终端在加征关税驱动下令成本或将抬高部分地区售价，进而削弱竞争优势影响销售，后续关税带来的成本压力也将传导至作为消费终端上游环节的存储芯片领域，届时存储备货需求也将受到抑制。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。