核心观点
　　NAND：三星、SK海力士减少NAND产量以应对供应过剩问题。根据DRAMexchange，上周（20250210-0214）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.53%至5.56%，平均涨跌幅为1.04%。其中7个料号价格持平，12个料号价格上涨，3个料号价格下跌。根据科创板日报报道，为了应对供应过剩的问题，三星电子和SK海力士从2024年年底开始将旧的NAND闪存工艺生产线转换为新工艺，减少NAND闪存产量。
　　DRAM：全球半导体销售额首破6000亿美元，DRAM增幅最大。根据DRAMexchange，上周（20250210-0214）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.00%至1.10%，平均涨跌幅为-0.12%。上周9个料号呈上涨趋势，9个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。美国半导体行业协会(SIA)最新研究报告显示，2024年全球半导体销售额高达6276亿美元，同比增长19.1%，存储产品销售额排名第二，2024年销售额达1651亿美元，同比增长78.9%。作为存储产品的子集DRAM产品，其销售额增长了82.6%，是2024年所有产品类别中增幅最大的。
　　HBM：SanDisk推出新型AI存储架构。根据CFM闪存市场报道，在西部数据近日举办的投资者日上，SanDisk展示了其最新研发的高带宽闪存（HBF），这是一种专为AI领域设计的新型存储器架构，结合了3DNAND闪存和高带宽存储器（HBM）的特性，旨在满足大规模AI模型的存储和推理需求。
　　市场端：国补刺激有限，受传统淡季影响行业SSD价格横盘月余后再度下跌。根据CFM闪存市场报道，本周行业SSD价格再现跌势；服务器内存条本月价格也有所下滑，其他市场存储价格均维持稳定。由于目前正处于消费电子传统淡季，国补对市场需求的拉动作用仍然有限。受需求步入淡季影响，宏碁、华硕等台湾PCOEM的1月营收环比下滑幅度均在20-40%不等，财务压力剧增。因此，本周行业SSD价格普遍下调，内存条价格不变。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等