事件：据国家知识产权局专利公告，9月10日上海微电子公布一则发明专利《极紫外辐射发生装置及光刻设备》，内容涉及极紫外辐射（EUV）发生装置及光刻设备。
　　国产光刻技术持续突破。
　　EUV光刻机采用13.5nm波长的极紫外光，可实现8nm的曝光分辨率，用于先进制程芯片制造；其技术难点在于光学系统、光源等关键子系统。
　　本次上海微电子披露的专利主要涉及EUV光源和光刻设备，其中重点的极紫外辐射发生器（光源）主要包括腔体、靶材发生器、激光发生器、收集镜、电极板、气控部件等关键部件。
　　荷兰光刻设备供给有望持续。
　　DUV光刻设备方面，当地时间9月6日，ASML在官网发布公告，称荷兰政府更新了关于浸没式光刻机出口许可的规定，公司将需要向荷兰政府而非美国申请1970i和1980i浸没式DUV光刻机的出口许可；新规将于9月7日生效。ASML还表示该变化不会对其2024年和未来的财务状况造成任何影响。
　　ASML的1980i系列包含1980Di、1980Fi等多个型号，其最新推出的1980Fi可实现≤38nm的分辨率，和2.5nm的套刻精度（MMO），该数据与2000i型号一致，但1980Fi的产能（wph）高达330片/小时以上，甚至超过2000i的水平。
　　大陆晶圆厂加速扩产，半导体设备进口数据高增。
　　2024年以来，伴随半导行业周期回暖，国内晶圆厂加大设备采购力度。据海关总署数据，2024年1-7月中国大陆进口半导体设备230.51亿美元，同比增长48%，本土晶圆厂的大力扩产亦将拉动国产半导体设备的需求增量。
　　投资建议：海外半导体设备供给持续高增满足短期扩产需求，国产光刻机技术亦在持续突破，利好半导体设备自主可控的长期发展，我们继续看好国内晶圆厂的投资增长和国产半导体设备的国产化机遇，建议关注：北方华创、中微公司、拓荆科技、中科飞测、精测电子、芯源微、华海清科等。
　　风险提示：国产替代导入进展不及预期，半导体行业需求周期性波动，行业竞争加剧。