AI拉动HBM需求，HBM是AI领域理想的内存解决方案。AI大模型出现之后，传统带宽标准DDR和移动类LPDDR显然已经完全无法满足AI芯片的需求。此时3D堆栈的HBM可以为AI芯片提供更大的内存带宽和更低功耗，从带宽上讲，HBM提供的高带宽能够确保数据在处理器和存储器之间快速传输，从而提高整体的计算效率；从功耗上讲，HBM具有较短的数据传输距离，功耗显著低于GDDR6等，为数据中心以及边缘端计算节省功耗。此外HBM还具有快速访问和低延迟等特性，都是AI所需。根据海力士预测，到2027年全球HBM市场规模将会超120亿美元，5年CAGR超25%。从HBM技术迭代情况来看，HBM3E相较HBM2在功耗、带宽、可扩展性都有改进，英伟达B200搭配8颗HBM3e芯片。
　　目前HBM主要设计工艺是TSV、MicroBump、混合键合等环节。HBM相较于传统的flipchip或sip等封装，采用多层堆叠的设计，通过TSV技术将多个DRAM层堆叠在一起，并与逻辑芯片通过中介层连接。这种设计显著提高了内存的带宽和容量，同时减少了占用的空间。TSV（Through SiliconVia，硅通孔技术）是在硅片中钻制微小通孔，并在这些孔洞中填充导电材料（如铜、钨或多晶硅），从而创建垂直电气互连，以实现不同层之间或硅片与其他组件之间的垂直电气连接。MicroBump是微凸块，是在芯片上制造微小凸块来连接芯片与焊盘，这些凸点非常小，直径小至几微米。这个方式相较传统的打线封装，具有更高的端口密度，减少了信息传输路径。
　　HBM工艺相关材料硅微粉、电镀液、前驱体等材料用量提升。由于这些工艺都属于新增范畴，所以这些工艺所需要的材料在HBM需求量增加的情况下会有相应提升。首先硅微粉来看，硅微粉是以结晶石英、熔融石英等为原料，经研磨、精密分级、除杂等多道工艺加工而成的二氧化硅粉体材料，具有高耐热、高绝缘、低线性膨胀系数和导热性好等性能，系一种性能优异的无机非金属功能性填料，可被广泛用于覆铜板、环氧塑封料、电工绝缘材料、胶粘剂、陶瓷和涂料等领域。
　　投资建议：建议关注目前涉及HBM产业链材料的雅克科技（前驱体）、联瑞新材（硅微粉）、兴森科技（IC载板）、艾森股份（电镀液）、华海诚科（环氧塑封料）等。
　　风险提示：市场竞争加剧，半导体行业周期波动，市场风险偏好下降