本期投资提示：
　　事件一：根据国家知识产权局，华为技术有限公司申请的发明名称为“自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置”专利于2024年3月22日公开展示。
　　这项发明专利是SAQP技术的改进优化，以提高电路图案设计的密度和自由度。晶圆厂使用DUV光刻机生产先进制程（28nm以下）芯片时，广泛采用多重图案曝光工艺来实现对电路线宽（制程）的缩小。多重图案曝光工艺中，SAQP（多重自对准四重图案）是相对先进而常见的一项技术，但现有技术中，间隔物的形成尺寸都比较固定导致制程无法进一步缩小，这项发明专利通过增加光刻步骤等方式改进了SAQP技术，可以实现电路图案设计密度的提升（芯片制程的缩小）。
　　这项发明2021年9月申请专利、2023年3月申请公开。根据专利信息，这项发明早在2021年9月1日即被提交给国家知识产权局，2023年3月9日华为即提交专利公开申请，我们推断这或许反映芯片制造工艺技术有进一步迭代，使用DUV光刻机进行更小制程的芯片生产的进程可能不断加速。
　　事件二：3月26日至27日荷兰首相率代表团访华，我国商务部部长与荷兰外贸大臣就光刻机贸易来往和强化半导体产业合作等议题进行交流。
　　荷兰首相近5年首度访华，得到多位国家领导人会见。荷兰首相上次访华为2019年，此次访华得到了国家主席、国务院总理等多位领导人的会见，荷兰首相表示“脱钩断链”不是荷兰政府的政策选项，珍视同中国的友好关系，愿同中方持续深化伙伴关系，反映中荷关系乃至中欧关系向好趋势。
　　我国商务部部长与荷兰外贸大臣关于光刻机深入交换意见。我国商务部部长表示希望荷兰支持企业履行合同义务、确保光刻机贸易正常进行；荷兰外贸大臣表示荷兰以贸易立国，主张自由贸易，荷兰的出口管制不针对任何国家、所做决定基于独立自主评估，并在安全可控前提下尽可能降低对全球半导体产业链供应链的影响。
　　综合而言，预计国内技术研发进展与国际环境优化相伴相生，国内晶圆厂先进制程扩产节奏有望提速。AI芯片、消费电子对先进制程需求旺盛，国内晶圆厂先进制程扩产空间巨大，核心设备的取得、晶圆厂制造工艺的进步，是影响扩产速度的最关键因素。伴随上述两项事件，光刻机贸易、国内技术进步都可以更加乐观，预计国内晶圆厂先进制程扩产节奏未来几年有望超市场预期。
　　投资分析意见：国内晶圆厂先进制程扩产，自主可控趋势下国产半导体设备最受益。重点关注各细分领域市占率及技术水平相对占优半导体设备公司：北方华创（薄膜沉积、刻蚀、热处理、清洗设备等），中微公司（刻蚀、薄膜沉积设备等），芯源微（涂胶显影、清洗设备等），拓荆科技（薄膜沉积、键合设备等），中科飞测、精测电子（前道检测量测设备）。
　　风险提示：国内设备厂商研发进程不及预期；国内晶圆厂扩产进度不及预期。