AI浪潮势不可挡，国内先进制程与先进封装产线资本开支加速
　　高性能运算（HPC）已经成为全球半导体产业发展的核心支柱，算力升级离不开AIGPU的支撑。AIGPU首先要通过先进制程工艺制造存储与逻辑芯片，再采用2.5D/3D先进封装工艺来提升系统性能。目前，国内两大存储厂已分别在3DNAND、LPDDR5取得技术突破，高性能AI芯片出海代工受限加剧国内FinFET产能紧缺，终端龙头回归推动长电科技、通富微电等封测厂商加大在先进封装领域布局。在瓶颈设备进口数据乐观、国产配套设备工艺覆盖度提升的背景下，国内存储、先进逻辑、先进封装产线扩产确定性强。
　　先进存储、逻辑产线对刻蚀、薄膜沉积、外延、量检测设备需求量增加
　　刻蚀：根据Yole，存储器件芯片结构从二维向三维转变使得等离子体刻蚀成为步骤最多、最关键的工序，2025年预计占3DNAND制造设备总规模的73%，极高深宽比刻蚀是3DNAND向200层甚至300层以上升级过程中最关键的工艺。因多次曝光的引入，12寸先进逻辑产线刻蚀设备用量是成熟制程产线的2.4倍，一体化大马士革刻蚀为28纳米以下逻辑器件制造最核心的工艺之一。薄膜沉积：先进逻辑产线约需超过100道薄膜沉积工序，是90nm CMOS工艺的2.5倍。其中，ALD设备因可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，成为先进逻辑、存储器件制造中必需的薄膜设备。外延：在关键尺寸进入28 nm及以下后，必须采用锗硅外延技术来加大PMOS的压应力，以提高器件整体响应速度。除以上三类设备外，先进逻辑产线对炉管、量检测等设备用量也提升，平台型厂商更受益于先进逻辑产线的扩产。
　　CoW固晶、CMP、电镀、键合、量检测、光刻为先进封装高价值量环节
　　HBM使用3D封装工艺，并与GPU通过CoWoS 2.5D封装水平互联。以2024-2033年国内智能算力需求测算，我们预计先进封测设备总投资有望达到661.1亿元，其中CoW倒装固晶（12.5%）、CMP(7.5%)、电镀(7.5%)、临时键合与解键合(7.5%)、量检测（6.7%）、光刻（6.3%）产线价值量占比合计47.9%。
　　先进封装对晶圆级设备的性能要求低于前道产线，国产前道设备厂商向先进封装领域布局属于技术降维，未来在国内先进封装产线有望占据较高份额。对于后道封测设备厂商来说，更先进的封装工艺对设备要求提升，国产厂商在成品测试、分选等环节技术实力强，相比之下在固晶、切割、研磨、塑封等环节实力稍弱，未来市场份额预计稳步提升。
　　供应链自主可控为产业共识，半导体前、后道设备厂商市占率有望提升
　　受益于存储、先进逻辑扩产，前道设备有望边际签单提速，受益标的：中微公司（等离子刻蚀）、芯源微（涂胶显影）、北方华创（平台型）、盛美上海（平台型）、中科飞测（量检测）、拓荆科技（CVD）。先进封装为后道设备商带来增长弹性，受益标的：赛腾股份、快克智能、芯碁微装。
　　风险提示：产线扩产进度、力度不及预期，设备国产化率提升不及预期。