事件：1月25日，海力士发布4Q23业绩，同时指引2024年存储依旧供不应求，周期持续向上。且云侧的HBM，以及端侧的DDR5等新品迎来快速成长，2023年海力士HBM3销量增长5倍以上，DDR5销量增长4倍以上，预计2024年资本开支更重心投向HBM、DDR5等高附加值产品。
　　与此同时，国内DDR5产业链公司澜起科技、聚辰股份发布2023年业绩预告，受益DDR5产品出货提升，23Q4业绩回暖明显。
　　海力士2023Q4业绩超预期，指引2024年存储持续提价：海力士23Q4营收11.31万亿韩元，同比+47%，环比+25%；毛利率为19.7%，同比+20pcts，环比+19pcts。
　　分结构看，DRAM营收7.35万亿韩元，同比+59.65%，环比+20.99%。出货量环比增长低个位数百分点，ASP环比增长高十位数百分点。NAND营收3.28万亿韩元，同比+42.45%，环比+33.95%。出货量环比下降低个位数百分点，ASP环比上升40%。
　　展望24Q1，预计存储价格持续向上，DRAM位元出货量预计环比下降15%左右，NAND位元出货量环比增长5%左右。
　　2024年全年，预计DRAM和NAND需求将增长中高十位数百分比，供给将增加低个位数百分比，供不用求持续推动价格上行；DRAM和NAND将分别于24H1和24H2达到正常库存水位；资本开支小幅增加，扩产重心向HBM\DDR5等高价值量产品。
　　AI浪潮催化HBM等需求激增，龙头大厂加速HBM3e认证。2023年海力士HBM3销量增长5倍以上，DDR5销量增长4倍以上。AI强劲需求催生HBM供不应求，海力士预计HBM中长期需求将年增高达60%，且若AI应用超预期发则增速将更高。海力士预计24年H1 HBM3e将开始大规模供应，并正在开发HBM4产品，此外美光、三星也正加速HBM3e认证。从时点来看，根据TrendForce研究，美光、海力士、三星分别于23年7月底/8月中/10月初提供8hi（24GB）HBM3e NVIDIA样品，预计有望于2024年Q1逐步完成验证。
　　DDR5接口芯片龙头业绩预告超预期，服务器复苏驱动DDR5持续渗透：海力士指引2024年云服务商资本支出将增加，通用服务器出货量将恢复增长，服务器复苏将有助于DDR5持续渗透。根据Omdia预测，2023年Q4 DDR5渗透率预计将超过20%（基于服务器DRAM），2024年将进一步上升至51%。此外，1月26日晚国内DDR5内存接口芯片龙头澜起科技及配套SPD合作公司聚辰股份也发布了2023年业绩预告，财报显示业务回暖明显，也进一步论证服务器去库尾声，DDR5正加速迎来渗透，带动产业链公司业绩增长。其中澜起科技2023年Q4预计实现营收7.4亿元~7.6亿元，环比增长24.7%~28.0%，环比改善主要受益于DDR5内存接口芯片（特别是第二子代产品）及内存模组配套芯片出货量进一步提升。聚辰股份未披露单Q4营收环比情况，但也于预告中表示，公司第四季度特别是12月份的SPD产品销量及收入环比实现较大幅度增长，相关业务回暖趋势明显。
　　投资建议：我们认为2024年是存储的关键一年，云侧的HBM需求旺盛，新“玩家”不断涌现；端侧DDR5成为标配，AI硬件呼唤高速率大容量。建议关注：1）HBM创新：美光科技；2）服务器DDR5：澜起科技、聚辰股份。
　　风险提示：下游需求不及预期的风险；DDR5渗透不及预期的风险；AI应用落地不及预期的风险