事项：
　　在CES 2024，以三星、SK海力士、美光为代表的各大存储厂商纷纷展示了自家在存储领域的前沿技术和最新产品。
　　平安观点：
　　AI成为存储行业焦点，头部厂商纷纷推出AI存储新品。本次CES 2024大会上，明显看出头部存储厂商对于AI的重视程度，纷纷推出相关的高端存储新品。其中，SK海力士展示了HBM3E、CXL内存接口、CMS试制品以及内存加速器AiMX等产品，产品类型丰富，进一步彰显出SK海力士在AI领域领先的技术实力；三星同样围绕AI进行布局，针对生成式AI推出12nm级32Gb DDR5 DRAM、HBM3EDRAM“Shinebolt”以及CXL内存模块产品“CMM-D”等新品，同时还针对端侧AI市场推出LLWDRAM，NAND产品包括PM9D3a以及PBSSD（Petabyte Scale SSD）；美光则推出业界首款标准低功耗压缩附加内存模块LPCAMM2，主要为PC提供更高的性能和能源效率，与传统SODIMM相比，体积缩小64%，功耗降低61%，PCMark 10基本工作负载（如网页浏览和视频会议）性能提升71%。
　　AI持续赋能硬件终端，推动存储规格和容量双重提升。B端来看，随着ChatGPT等大模型引爆AI时代，AI算力升级拉动AI服务器需求提升，相应推动了HBM等高端存储需求增长，根据TrendForce预测，当前头部存储厂商纷纷扩大HBM产能建设，预计2024年HBM供给位元量将同比增加105%；C端来看，AI应用在生产力设备上能够显著提高办公效率，我们认为PC将成为当前AI落脚C端的最佳载体，与传统PC相比，AIPC除了处理器提升，在存储方面同样存在显著的硬件升级需求，不仅需要高规格、高容量的内存，同时由于AIPC使用AI应用需要本地数据库支持，意味着存储空间需要进一步扩大，以搭载酷睿Ultra处理器的ThinkPad X1Carbon AI为例，该AIPC最高支持32GBLPDDR5X+2TBSSD。
　　行业周期筑底向上，存储产品延续涨价趋势。根据TrendForce数据，2024年第一季度DRAM整体合约均价将环比增加13-18%，其中，手机DRAM涨幅较为明显，主要因为当前手机存储合约价处于低点位置且手机库存水位相对健康，相应的带动了购货需求。NANDFlash方面，预计2024年第一季度整体合约均价将环比增加15-20%，其中，NAND原厂由于累计亏损严重，对于涨价意愿强烈，23Q4的3DNANDWafer合约均价环比增加35-40%，考虑到当前需求复苏程度，部分原厂短期依旧实施产能控制，预计3DNANDWafer价格合约均价在24Q1仍能环比增加8-13%。
　　投资建议：一方面，从行业角度看，当前头部存储原厂的减产效果开始逐步显现，叠加下游需求开始复苏，不论是DRAM还是NANDFlash，在23Q4整体价格上涨的基础上，24Q1有望延续涨价势头，TrendForce预测24Q1 DRAM整体合约均价将环比上涨13-18%，NANDFlash整体合约均价将环比上涨15-20%，存储周期开始筑底反弹。另一方面，随着高性能计算以及AI功能需求的快速增加，以及AIPC等AI硬件产品持续推出，为保证AI应用的流畅运行，存储的规格和容量均需进行配套升级，高端存储产品和技术将迎来渗透加速，建议关注江波龙、澜起科技、北京君正、德明利、朗科科技。
　　风险提示：1）国产化替代不及预期风险：国产化替代是行业主旋律，若落地推进速度放缓，可能对产业链公司业绩拓展带来不利影响；2）下游终端需求复苏不及预期风险：存储赛道长期处于低迷状态，若需求复苏节奏放缓，可能导致行业低位状态难以摆脱；3）国内厂商对先进技术的研发进程不及预期风险：技术先进性是产业链相关标的竞争力的源泉，若其先进技术的创新研发遇到瓶颈，可能导致下游高端市场需求难以满足。