集成电路制程推进需要降低导线电阻率，铜大马士革成为主要互连工艺。随着集成电路尺寸不断微缩，芯片内金属互连导线电阻对器件性能的影响开始变得显著，需要引入电阻较小的铜互连替代传统铝互连。当互连工艺从铝互连向铜互连过渡时，铜的刻蚀遇到了很大的挑战，大马士革工艺应运而生。在大马士革工艺中，先形成图案化的介质层，再填充铜并通过化学机械抛光抛光以形成金属导线，避免了金属刻蚀。大马士革工艺的引入使得金属刻蚀的使用减少，而介质层刻蚀的使用增加。铜大马士革工艺可以进一步分为单大马士革工艺和双大马士革工艺，其中双大马士革工艺所需的步骤更少、成本更低。
　　刻蚀设备国产替代空间广阔，中微公司大马士革刻蚀设备进展良好。目前中微公司是国内大马士革刻蚀的主要供应商。中微公司针对逻辑器件的一体化大马士革刻蚀工艺进行技术攻关，并取得良好进展。在28纳米及以下的逻辑器件生产工艺中，一体化大马士革刻蚀工艺需要一次完成通孔和沟槽的刻蚀，是技术要求最高、市场占有率最大的刻蚀工艺之一。公司针对该刻蚀工艺，开发了可调节电极间距的刻蚀机，在刻蚀过程中，反应腔的极板间距可动态调节，以同时满足通孔和沟槽刻蚀的不同工艺要求。未来，伴随相关工艺技术验证的推进、下游客户制程节点进步及产能扩张，公司有望充分受益于逻辑器件对大马士革刻蚀工艺需求的提升。
　　投资建议。大马士革铜互连是集成电路互连的核心技术。随着本土晶圆产能的持续扩张，国产半导体设备厂商有望依托自身的产品竞争力、广阔的份额增长空间和品类扩张能力，加速提升相关领域的国产替代份额。建议关注在领域处于国内领先地位的中微公司。
　　风险提示。下游扩产不及预期；国产厂商技术研发不及预期；零部件供应风险。