光刻技术对比分析：在微米级应用上，直写光刻可替代传统接近/接触式掩膜光刻。主流光刻技术包括直写光刻和掩膜光刻，其中，掩膜光刻包括接触式、接近式、投影式掩膜光刻。投影式掩膜光刻技术更加先进、精度更高，但是制造难度更大、成本更高。在纳米级领域，投影式掩膜光刻因精度更高，得到广泛应用，如以荷兰ASML、日本尼康等为代表的企业均采用投影式掩膜光刻，主要应用在半导体领域。而在微米级领域，直写光刻因无须使用掩膜版，同时可以实现自动对位、自动校准和自动涨缩，因此生产周期更短、人工环节更少、运营成本更低、精度也能达到要求，具有更高的灵活性和广泛适应性，主要应用在PCB、泛半导体、以及光伏领域。
　　PCB领域：传统替代&国产替代双轮驱动，公司增长动力充足。下游需求方面，PCB行业将受益于消费电子周期底部，AI激发大算力时代、带动服务器、通信等板块高增长。在此背景下，PCB产业逐渐向高密度、高集成、细线路、小孔径、大容量、轻薄化的方向发展，催生HDI、类载板、软板等中高阶PCB产品的市场份额不断提升。而在PCB高端化趋势下，直写光刻相比较于接近/接触式掩膜光刻而言优势明显、且更适用，具备明显的传统替代趋势。市场规模和竞争格局方面，2019-2022年中国PCB曝光设备行业市场规模从57亿元增长至98亿元，CAGR为19.80%；市场Top3分别为以色列Orbotech、日本ORC和芯碁微装，并且芯碁微装市占率不断提升。在PCB制造产能逐步转移至中国大陆、东南亚的背景下，国内企业凭借不断精进的研发技术、性价比优势以及本土化服务优势，有望显著受益于国产替代的浪潮。公司产品竞争力强劲，积极开拓海外市场，产品成功销往日本，客户资源丰富，切入头部客户鹏鼎控股加强大客户布局，实现百强PCB客户全覆盖，2020-2022年PCB业务营收CAGR为36.95%增速远超行业增速，具备强阿尔法属性。
　　泛半导体领域：布局范围广、行业空间大，公司业绩翻倍增长。在先进封装与Mini/Micro LED渗透率快速提升趋势下，叠加国产替代背景下，公司作为国内泛半导体直写光刻设备龙头有望显著受益。
　　1）IC载板：空间广阔，公司为国产替代领军者。公司部分产品已接近或超越全球头部企业，技术优势趋显。另外，定增支撑IC载板产能扩张，海外市场不断寻求突破。2022年11月，公司MAS直写光刻设备成功销往日本市场。
　　2）引线框架：高集成发展推动直写光刻传统替代。公司积极推动蚀刻工艺对传统冲压工艺的替代，已覆盖立德半导体、龙腾电子等下游客户。
　　3）先进封装：后摩尔时代下的明星，空间大、增速高，公司有望深度受益。直写光刻技术自适应调整能力强，公司先进封装产品WLP2000优势明显，产品矩阵不断扩充，其晶圆级封装光刻设备已验收，主要客户有华天科技、辰显光电等。
　　4）掩膜版制版：精度要求高，公司90nm-65nm制版光刻设备在研中。公司90nm-65nm制版光刻设备研制进行中，将覆盖国内70-80nm掩膜版产能。
　　5）新型显示：Mini/Micro LED前景广阔，带来直写光刻设备市场新增量。在Mini/MicroLED阻焊层曝光中，直写光刻技术为未来主流方向，公司以NEX-W（白油）机型为重点，以点带面切入客户供应链。目前已开拓维信诺、辰显光电、沃格光电等优质客户。
　　光伏电镀铜领域：以铜代银势在必行，电镀铜是平台型技术，公司将率先且深度受益。光伏用银需求量大且增速高、而银浆供给短缺，因此去银化是必然选择，电镀铜降本增效优势明显，以铜代银势在必行。电镀铜是平台型技术，不止是HJT，TOPCon、BC均可应用，空间巨大。电镀铜制备过程中，图形化是最核心、壁垒最高的环节，我们预计终局状态下，未来光伏用图形化设备需求达到500GW，假设在单GW图形化设备为2000万的情形下，得出市场空间为100亿元。公司是光伏图形化设备龙头，率先布局、技术路线布局多元、客户覆盖范围广，有望率先且深度受益。
　　投资建议：我们预计2023-2025年公司归母净利润为2.2、3.2、4.5亿元，同比增长58.9%、49.1%、39.9%，当前股价对应公司PE为38.4、25.8、18.4X。公司打造国内直写光刻平台型企业逻辑顺畅，PCB领域市场份额有望快速提升，泛半导体领域有望翻倍增长，光伏铜电镀领域从0到1有望实现爆发式突破，维持“买入”评级。
　　风险提示：PCB&泛半导体下游市场波动、市场规模测算误差、电镀铜工艺导入不及预期。

研究报告全文：证券研究报告公司深度2023年08月27日芯碁微装688630SH打造直写光刻平台PCB市占率快速提升泛半导体超高速增长光伏从0到1光刻技术对比分析在微米级应用上直写光刻可替代传统接近接触式买入维持掩膜光刻主流光刻技术包括直写光刻和掩膜光刻其中掩膜光刻包括股票信息接触式接近式投影式掩膜光刻投影式掩膜光刻技术更加先进精度更高但是制造难度更大成本更高在纳米级领域投影式掩膜光刻因行业专用设备前次评级买入精度更高得到广泛应用如以荷兰ASML日本尼康等为代表的企业均采用投影式掩膜光刻主要应用在半导体领域而在微米级领域直写光8月25日收盘价元6351刻因无须使用掩膜版同时可以实现自动对位自动校准和自动涨缩因总市值百万元833869此生产周期更短人工环节更少运营成本更低精度也能达到要求具总股本百万股13130有更高的灵活性和广泛适应性主要应用在PCB泛半导体以及光伏领其中自由流通股5300域30日日均成交量百万股191股价走势PCB领域传统替代国产替代双轮驱动公司增长动力充足下游需求方面PCB行业将受益于消费电子周期底部AI激发大算力时代带动服务器通信等板块高增长在此背景下PCB产业逐渐向高密度高集成芯碁微装沪深30018细线路小孔径大容量轻薄化的方向发展催生HDI类载板软板9等中高阶PCB产品的市场份额不断提升而在PCB高端化趋势下直写0光刻相比较于接近接触式掩膜光刻而言优势明显且更适用具备明显-9的传统替代趋势市场规模和竞争格局方面2019-2022年中国PCB曝-18-27光设备行业市场规模从57亿元增长至98亿元CAGR为1980市场-37Top3分别为以色列Orbotech日本ORC和芯碁微装并且芯碁微装市2022-082022-122023-042023-08占率不断提升在PCB制造产能逐步转移至中国大陆东南亚的背景下国内企业凭借不断精进的研发技术性价比优势以及本土化服务优势有望显著受益于国产替代的浪潮公司产品竞争力强劲积极开拓海外市场作者产品成功销往日本客户资源丰富切入头部客户鹏鼎控股加强大客户布分析师张一鸣局实现百强PCB客户全覆盖2020-2022年PCB业务营收CAGR为执业证书编号S06805220700093695增速远超行业增速具备强阿尔法属性邮箱zhangyiminggszqcom泛半导体领域布局范围广行业空间大公司业绩翻倍增长在先进封研究助理邓宇亮执业证书编号装与MiniMicroLED渗透率快速提升趋势下叠加国产替代背景下公司S0680121090003邮箱作为国内泛半导体直写光刻设备龙头有望显著受益dengyulianggszqcom1IC载板空间广阔公司为国产替代领军者公司部分产品已接近或相关研究超越全球头部企业技术优势趋显另外定增支撑IC载板产能扩张1芯碁微装688630SH光伏LDI量产设备成功发海外市场不断寻求突破2022年11月公司MAS直写光刻设备成功销货业内龙头有望打造LDI技术平台型企业2023-04-往日本市场262引线框架高集成发展推动直写光刻传统替代公司积极推动蚀刻工2芯碁微装688630SH一季报业绩超预期泛半艺对传统冲压工艺的替代已覆盖立德半导体龙腾电子等下游客户导体设备占比提升电镀铜业务值得期待2023-04-203先进封装后摩尔时代下的明星空间大增速高公司有望深度受3芯碁微装688630SH业绩符合预期光伏铜电益直写光刻技术自适应调整能力强公司先进封装产品WLP2000优势镀有望打开巨大成长空间2023-02-25明显产品矩阵不断扩充其晶圆级封装光刻设备已验收主要客户有华天科技辰显光电等4掩膜版制版精度要求高公司90nm-65nm制版光刻设备在研中公司90nm-65nm制版光刻设备研制进行中将覆盖国内70-80nm掩膜版产能5新型显示MiniMicroLED前景广阔带来直写光刻设备市场新增量在MiniMicroLED阻焊层曝光中直写光刻技术为未来主流方向公司以NEX-W白油机型为重点以点带面切入客户供应链目前已开拓维信诺辰显光电沃格光电等优质客户光伏电镀铜领域以铜代银势在必行电镀铜是平台型技术公司将率先请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日且深度受益光伏用银需求量大且增速高而银浆供给短缺因此去银化是必然选择电镀铜降本增效优势明显以铜代银势在必行电镀铜是平台型技术不止是HJTTOPConBC均可应用空间巨大电镀铜制备过程中图形化是最核心壁垒最高的环节我们预计终局状态下未来光伏用图形化设备需求达到500GW假设在单GW图形化设备为2000万的情形下得出市场空间为100亿元公司是光伏图形化设备龙头率先布局技术路线布局多元客户覆盖范围广有望率先且深度受益投资建议我们预计2023-2025年公司归母净利润为223245亿元同比增长589491399当前股价对应公司PE为384258184X公司打造国内直写光刻平台型企业逻辑顺畅PCB领域市场份额有望快速提升泛半导体领域有望翻倍增长光伏铜电镀领域从0到1有望实现爆发式突破维持买入评级风险提示PCB泛半导体下游市场波动市场规模测算误差电镀铜工艺导入不及预期财务指标2021A2022A2023E2024E2025E营业收入百万元492652100515422083增长率yoy587325541534350归母净利润百万元106137217324453增长率yoy494287589491399EPS最新摊薄元股081104165246345净资产收益率114130171204223PE倍786611384258184倍PB9079665341资料来源国盛证券研究所注股价为年月日收盘价Wind2023825P2请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日财务报表和主要财务比率资产负债表百万元利润表百万元会计年度2021A2022A2023E2024E2025E会计年度2021A2022A2023E2024E2025E流动资产10871290161620862583营业收入492652100515422083现金215372602591917营业成本2823715628531139应收票据及应收账款324512605736931营业税金及附加254811其他应收款27101619营业费用30375788119预付账款1919415274管理费用1927406283存货234302260593546研发费用5685131197260其他流动资产29278989898财务费用-4-7-14-17-22非流动资产177257312400495资产减值损失-10000长期投资00000其他收益815000固定资产118165217303394公允价值变动收益20011无形资产111121315投资净收益64444其他非流动资产5882838486资产处置收益0-1000资产总计12641547192824863078营业利润108143229357498流动负债279408561801948营业外收入851300短期借款09999营业外支出00100应付票据及应付账款192297444680820利润总额116148241357498其他流动负债88102108113119所得税1012243345非流动负债5390909192净利润106137217324453长期借款50012少数股东损益00000其他非流动负债4890909090归属母公司净利润106137217324453负债合计3324986528921040EBITDA116148240358501少数股东权益00000EPS元081104165246345股本121121131131131资本公积596601601601601主要财务比率留存收益2153275328321245会计年度2021A2022A2023E2024E2025E归属母公司股东权益9311049127715942038成长能力负债和股东权益12641547192824863078营业收入587325541534350营业利润701324605555394归属于母公司净利润494287589491399获利能力毛利率428432441447453现金流量表百万元净利率216209216210217会计年度2021A2022A2023E2024E2025EROE114130171204223经营活动现金流30628880425ROIC100111150183204净利润106137217324453偿债能力折旧摊销611131825资产负债率263322338359338财务费用-4-7-14-17-22净负债比率-152-264-401-313-405投资损失-6-4-4-4-4流动比率3932292627营运资金变动-88-14277-240-26速动比率2822221720其他经营现金流15130-1-1营运能力投资活动现金流-339192-83-102-115总资产周转率0505060707资本支出13240558894应收账款周转率1816182325长期投资-212225000应付账款周转率2015151515其他投资现金流-418456-28-14-20每股指标元筹资活动现金流429-44251215每股收益最新摊薄081104165246345短期借款-149000每股经营现金流最新摊薄023005220061324长期借款5-5011每股净资产最新摊薄70979996412061544普通股增加3001000估值比率资本公积增加3866000PE786611384258184其他筹资现金流21-54141114PB9079665341现金净增加额121156230-10325EVEBITDA686543325218150资料来源Wind国盛证券研究所注股价为2023年8月25日收盘价P3请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日内容目录1光刻技术对比分析在微米级应用上直写光刻可替代传统掩膜光刻811主流光刻技术原理介绍812主流光刻技术特征对比直写光刻更灵活适用范围更广1513公司为国内直写光刻设备龙头研发技术实力强劲172PCB业务传统替代国产替代双轮驱动公司增长动力充足1921下游需求消费电子周期底部AI带动服务器通信等板块高增长1922技术趋势PCB行业高端化直写光刻技术适配性更高2223市场规模与竞争格局PCB曝光设备市场空间大公司为国内领军者2524公司产品竞争力凸显切入鹏鼎加强大客户布局积极开拓海外市场29241公司PCB直写光刻设备布局丰富不断迭代升级竞争优势凸显30242客户资源丰富切入头部客户鹏鼎控股加强大客户布局实现百强PCB客户全覆盖34243伴随PCB产能转移至东南亚公司积极开拓海外市场363泛半导体布局范围广行业空间大公司业绩翻倍增长3331IC载板空间广阔芯碁为国产替代领军者3832引线框架高集成发展推动直写光刻传统替代4533先进封装后摩尔时代下的明星空间大增速高公司有望深度受益4834掩膜版制版精度要求高公司90nm-65nm制版光刻设备在研中5635新型显示MiniMicroLED前景广阔带来直写光刻设备市场新增量594光伏电镀铜以铜代银势在必行电镀铜是平台型技术公司深度受益6541去银化是必然选择电镀铜降本增效优势明显以铜代银势在必行6542电镀铜是平台型技术不止是HJTTOPConBC均可应用空间巨大6743芯碁是光伏图形化设备龙头率先布局技术布局多元客户覆盖范围广有望率先且深度受益715盈利预测与投资建议72风险提示74图表目录图表1主要光刻技术分类8图表2直写光刻接近接触式光刻投影式光刻原理示意图8图表3两束相干激光束的干涉8图表4典型双光束激光干涉光路图8图表5掩膜对准式曝光步进投影式曝光激光直写曝光的对比9图表6激光直写光刻LDWLDI设备示意图9图表7激光直写光刻LDWLDI的发展趋势9图表8激光直写技术工艺过程示意图9图表9DMD直写光刻机结构示意图10图表10DMD步进式盖章式直写光刻原理图11图表11DMD扫描式直写光刻原理图11图表12DMD直写光刻机架构示意图11图表13电子束直写光刻EBL系统结构图13图表14栅格式扫描和矢量式扫描示意图13图表15双透镜聚焦离子束系统结构示意图13图表16聚焦离子束光刻FIB的基本功能及溅射刻蚀工艺示意图13图表17接触式光刻原理示意图14图表18接近式光刻原理示意图14P4请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日图表19投影式光刻原理示意图14图表20重复式投影光刻机结构示意图15图表21步进扫描式投影光刻机结构示意图15图表22光学光刻的发展趋势15图表23掩膜版线宽及其对应成本16图表24直写光刻技术和微米级接触接近式掩膜光刻技术的特征对比16图表25关键子系统核心零部件自主研发项目具体内容18图表262018-2027年全球PCB市场规模趋势预测图19图表272017-2023年中国PCB市场规模预测趋势图19图表282014-2022年中国大陆PCB产值全球比例20图表292016-2023年全球消费电子市场规模预测趋势图21图表302019-2023年中国服务器市场规模预测趋势图21图表312021-2026年全球PCB各应用领域产值预测21图表322021年PCB各应用领域产值占比22图表332026E年PCB各应用领域产值占比22图表342017-2022年移动电话基站发展情况22图表352021年全球PCB细分产品结构23图表362021年中国PCB细分产品结构23图表372019-2023年PCB产品曝光精度最小线宽23图表38直接成像与传统曝光PCB制作工艺流程对比24图表39PCB主要光刻技术分类24图表40线路层和阻焊层图示24图表412018-2022年中国PCB制造行业TOP10企业固定资产复合增速25图表422019-2022年中国PCB曝光设备行业市场规模体量26图表432023-2027年中国PCB曝光设备行业市场规模体量预测26图表442019-2022年中国PCB线路层曝光设备行业市场规模体量26图表452019-2022年中国PCB阻焊层曝光设备行业市场规模体量26图表462019-2022年中国PCB阻焊层掩膜光刻设备市场规模27图表472019-2022年中国PCB阻焊层直写光刻设备行业市场规模体量27图表482017-2023年全球PCB市场直接成像设备产量27图表492017-2023年中国PCB市场直接成像设备产量27图表502017-2023年中国PCB市场直接成像设备产量占全球比例28图表51PCB领域全球主要厂商28图表522018-2021全球PCB直接成像设备销售收入前三名厂商占比29图表532022年中国PCB线路层曝光设备行业市场竞争格局分析29图表542022年中国PCB阻焊层菲林曝光设备行业市场竞争格局29图表552022年中国PCB阻焊层直写光刻设备行业市场竞争格局29图表562017-2022PCB业务营业收入变动30图表572017-2022年PCB业务毛利率变动30图表58公司MAS系列产品特性31图表59公司RTR系列产品特性31图表60公司FAST系列产品特性31图表61公司NEX系列产品特性32图表62公司定向增发项目具体内容32图表63公司线路曝光工艺直接成像设备与竞争对手产品参数对比33图表64公司阻焊曝光工艺直接成像设备与竞争对手产品参数对比33图表65芯碁微装PCB领域主要客户34图表662021年全球前十大PCB厂商35P5请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日图表672021年国内主要PCB企业市场占有率35图表68鹏鼎控股部分主要客户35图表69东南亚地区新增投资PCB项目36图表702017-2022年全球半导体设备市场规模及增速37图表712017-2022年中国半导体设备市场规模及增速37图表722017-2022年公司泛半导体业务收入及增速37图表732017-2022年公司泛半导体毛利率37图表74IC载板原理示意图38图表75IC载板分类及产品示意图39图表76全球IC载板行业主要企业概况40图表772020年全球IC载板行业市场份额41图表782020年IC载板中国大陆企业及内资企业产值占比41图表792018-2023年中国封装基板市场规模41图表802018-2023年中国封装基板产量41图表81IC载板主要国内厂商扩产情况42图表82公司直写光刻设备在IC载板领域的工艺应用示意图43图表83公司IC载板线路产品类型及产品特性43图表84公司IC载板防焊产品类型及产品特性44图表85MAS6与全球头部企业竞品参数对比44图表86公司定向增发IC载板类载板直写光刻设备产业化项目具体内容44图表87公司IC载板领域主要客户45图表88引线框架根据所应用半导体类型分类情况及示意图46图表89引线框架结构示意图46图表90部分类型引线框架产品图46图表91我国引线框架市场规模46图表92引线框架中蚀刻工艺和传统冲压工艺特点对比47图表93直写光刻设备在引线框架领域的工艺应用示意图47图表94公司引线框架产品特性48图表95先进封装发展趋势以及与传统封装的区别49图表96先进封装四大要素RDLTSVBump和Wafer的功能示意图50图表97先进封装四大要素的先进性排序50图表98先进封装四大要素50图表99倒装芯片结构封装FC示意图51图表100倒装芯片结构封装FC工艺流程51图表101传统封装与晶圆级封装流程对比52图表102扇入式WLP和扇出式WLP对比剖面52图表103扇入式WLP和扇出式WLP对比底面52图表104FOWLP与FOPLP示意图53图表105FOPLP拥有更高的面积利用率53图表106系统级封装SiP示意图53图表10725D封装示意图54图表1083D封装示意图54图表109中国先进封装行业市场规模55图表110中国先进封装产值占全球比例55图表111Fan-outWLP的晶粒偏移问题dieshift和翘曲问题warpage55图表112Fan-outWLP的工艺流程55图表113公司先进封装产品特性56图表114公司在研先进封装项目具体情况56P6请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日图表115全球及中国半导体掩膜版市场规模57图表116中国半导体掩膜版市场规模全球占比57图表117全球平板显示掩膜版市场规模57图表118中国平板显示掩膜版市场规模全球占比57图表119公司直写光刻设备在掩膜版制版领域的工艺应用示意图58图表120不同直写光刻技术领域的主要厂商58图表121公司掩膜版制版产品特性59图表122公司在研掩膜版制版项目具体情况59图表123LCD构造图60图表124LCD液晶模组构造图60图表125OLED构造图60图表126OLED显示发光原理60图表127AMOLED结构示意图61图表128LTPS-AMOLED的驱动背板工艺流程图61图表129MiniLED背光与传统直下式LED背光的两种背光技术对比61图表130MiniLED背光实物图61图表131MicroLED与LCDOLED显示屏结构对比图62图表132MiniLED与MicroLED比较62图表1332017-2021年中国新型显示产业规模63图表1342017-2021年中国新型显示行业主要产品产量63图表1352019-2026年中国MiniLED行业市场规模及预测63图表1362021-2026年MiniLED背光LCD终端产品出货量63图表137公司直写光刻设备在MinimicroLED阻焊领域的工艺应用示意图64图表138公司新型显示NEX-W系列产品特性64图表139公司新型显示LDW产品特性65图表140公司在研6代线平板显示曝光机FPD-G6项目具体情况65图表1412014-2022年全球白银产量及增速情况66图表1422019-2023年全球及中国光伏银浆总消耗量66图表1432016-2022年全球光伏系统装机容量66图表1442022年全球白银需求结构66图表1452022年全球工业用银需求结构66图表146低温银浆丝网印刷与铜电镀对比67图表147铜栅线和银栅线形貌67图表148HJT电镀铜工艺68图表149直写光刻接近接触式光刻以及投影式光刻示意图68图表150光伏-投影式掩膜光刻69图表151光伏-直写光刻69图表152图形化三种主流技术路线对比69图表153HJTHBC均可应用电镀铜70图表154TOPConTBC均可应用电镀铜70图表155TOPCon图形化示意图70图表156HBC图形化示意图71图表157公司部分直写光刻产品性能72图表158芯碁微装-盈利预测73图表159可比公司估值对比亿元73P7请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日1光刻技术对比分析在微米级应用上直写光刻可替代传统掩膜光刻11主流光刻技术原理介绍光刻技术可分为直写光刻和掩膜光刻掩膜版又称光罩或光掩膜是微电子制造过程中的图形转移工具或母版用于下游电子元器件行业批量复制生产根据是否使用掩膜版光刻技术主要分为直写光刻和掩膜光刻图表1主要光刻技术分类图表2直写光刻接近接触式光刻投影式光刻原理示意图资料来源公司招股说明书国盛证券研究所资料来源公司招股说明书国盛证券研究所直写光刻可分为光学直写光刻和带电粒子直写光刻直写光刻也称无掩膜光刻是计算机控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面上无需掩膜直接进行扫描曝光在PCB领域一般称为直接成像根据辐射源的不同可分为光学直写光刻和带电粒子直写光刻光学直写光刻包括干涉光刻IL激光直写光刻LDWLDI基于空间光调制器的直写光刻技术SLM等1干涉光刻InterferenceLithography即IL激光干涉光刻技术是一种基于光学原理的典型无掩膜光刻技术其光刻图形是通过激光束之间的相互干涉而生成的利用双光束或者多光束的一次多次曝光会产生周期性的图形如周期性光栅阵列孔等进而满足需求也就是说干涉光刻技术就是利用光的干涉与衍射特性对光束按一定规律进行组合从而控制干涉场中的光强分布经过多次迭代曝光可以产生复杂的二维图形比如采用双光束干涉可制备光栅结构采用三束四束等多束激光干涉可制备矩形点阵蜂窝状图形等图表3两束相干激光束的干涉图表4典型双光束激光干涉光路图a分振幅干涉b分波前干涉资料来源MicroLED器件制备及其在无掩膜图形化上的应用国盛资料来源基于激光干涉光刻的复合光场调制技术研究国盛证券证券研究所研究所P8请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日2激光直写光刻LaserDirectWriting即LDW也称激光直接成像LaserDirectImaging即LDI激光直写光刻LDWLDI是由计算机控制高精度激光束扫描在光刻胶上直接曝光写出所设计的任意图形激光直写光刻LDWLDI系统主要由激光光源系统聚焦光学系统光束或样品的位移控制系统光强调控系统以及控制软件系统组成具体来看包括激光器声光调制器投影光刻物镜摄像机显示器工作台控制计算机等在扫描光刻的实现上主要有扫描振镜对光束的偏转和多轴位移台对样品位置的控制两种方式大多数LDWLDI采用的是两种扫描方式的组合同时LDWLDI通常会采用空间光调制器SLM作为可编程的数字掩膜见下文SLM部分图表5掩膜对准式曝光步进投影式曝光激光直写曝光的对比图表6激光直写光刻LDWLDI设备示意图资料来源柔性压印光刻和基于平面透镜的直写光刻技术研究国资料来源Lithowiki国盛证券研究所盛证券研究所图表7激光直写光刻LDWLDI的发展趋势图表8激光直写技术工艺过程示意图资料来源激光直写制备衍射光学元件的研究及应用国盛证券研资料来源激光直写光刻技术研究国盛证券研究所究所3基于空间光调制器的直写光刻技术SpatialLightModulator即SLMSLM是一种能将光的空间分布进行调制的微型器件由很多微小单元呈线型或方阵排列而成这些单元通过计算机图片生成系统加载数字掩膜板替代了传统光刻使用的物理掩模版进而控制空间光调制器来对入射光进行调制和优化经过调制的光束所形成的数字光图像会通过投影成像系统到达置于光学平台的基片表面P9请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日进行光刻曝光最终得到预想的光刻结构最常用的几种空间调制器有液晶显示器件LCDD等离子体显示器件PDP和数字微镜器件DMD其中基于数字微镜器件DigitalMicromirrorDevice即DMD的数字掩膜光刻技术的应用最为广泛是一种可以进行大批量生产的纯数字化的空间光调制器图表9DMD直写光刻机结构示意图12前端照明系统3反射镜4DMD控制器5投影物镜系统6基板7二维精密移动平台8管透镜9CCD相机10计算机控制系统资料来源基于DMD步进式投影光刻优化大面积微结构制作的方法研究与应用国盛证券研究所DMD直写光刻方式可以分为步进式盖章式光刻和扫描式光刻1步进式盖章式光刻是在基板上形成首个子曝光区域后DMD关闭然后控制移动平台运动当移过与DMD等长或等宽的距离后进入下一个子曝光区域DMD重新加载图案再一次进行静态曝光如此反复进行连续性的盖章式光刻经过多个子曝光区域的拼接即可实现大面积光刻图形的曝光2扫描式光刻是指位移工作台与DMD图像切换速度相匹配通过DMD的逐帧翻转与图像数据的逐行输入与输出实现图像的数据滚动从而在平台上形成稳定的投影具体来看扫描式光刻曝光方案由图片切割视频流合成位移工作台同步等部分组成在实际曝光前待曝光的图片数据需要进行预处理并完成图片的步进切割生成符合曝光所需求的帧速率的视频流当视频流投影滚动时控制步进电机协调位移工作台匀速移动从而保证视频流和位移工作台的同步以右下图为例黑色网格是DMD微镜关闭状态白色网格是DMD微镜开启状态DMD镜头位置始终保持静止位移工作台自右向左匀速移动穿过DMD镜头以T2时刻为例此时位于D15处的DMD微镜处于开启状态对应曝光点为平台上的S12位置当衬底平台继续向左移动至T3位置时视频流同步投影通过投影像素的平移保证投影图片同衬底平台位置相对不变此时曝光点除了S12还包括S13和S23当平台经过从T1到T9的不同曝光时间段后逐渐形成了基板的曝光区域最终基板上的所有累积曝光点获得的曝光都为沿扫描方向开启像素的曝光之和P10请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日图表10DMD步进式盖章式直写光刻原理图图表11DMD扫描式直写光刻原理图资料来源基于DMD无掩膜光刻系统中的关键技术研究国盛证券资料来源基于DMD无掩膜光刻系统中的关键技术研究国盛证研究所券研究所基于DMD的直写光刻系统一般由匀光照明系统DMD数字微镜系统投影系统和工件台系统四部分组成曝光光源的出射光通过照明系统的准直匀化以一定角度入射到DMD上经DMD调制后形成特定的数字掩膜图案投影到投影系统通过投影系统将来自DMD的带有数字掩膜信息的光束缩小投影到涂覆了光刻胶的基片表面最后通过显影烘烤等完成光刻图表12DMD直写光刻机架构示意图DMD直写光刻机架构含义示意图匀光照明系统是投影光刻机的核心部分之一为整个光刻系统提供光强分布均匀的照明光束由曝光光源准直元件匀光元件和聚光元件组成1在光刻的质量上照明系统光源波长强度光能分布均匀性及光束稳定性等直接影响投影光刻的质量匀光照明系统2在曝光光源上高压汞灯紫外激光器和紫外发光二极管都可以作为DMD光刻系统的曝光光源3在照明均匀性上常用的匀光整形技术主要有柯勒照明光学积分棒微透镜阵列等DMD是一类能够反射的光调制设备通常是行列达到微米级别的微镜排布成一种长方形的阵列凭借优良的数字化调光特性DMD在数字无掩膜光刻中有较好应用1工作原理单个微镜在工作时DMD会将驱动电压加载至微镜的电极之间继而形成不同大小的偏移电压实现微镜角度的控制所有微镜存在三种可操作的角度即停滞状态下的0与电压通过状态下的12-12如微镜转至12处于开状态反射光线将会通过透镜照射使像DMD数字微镜系统素产生亮度若微镜偏转-12处于关状态光线无法穿过透镜由此DMD的微镜单元能够通过控制像素的明暗继而形成各种特定图像2发展趋势微镜中心间距不断缩小从最初的17m逐步缩小至136810876m目前已达54m远小于液晶空间光调制器LC-SLM产品的调光单元间距25mDMD显示分辨率不断提高从最初较低的VGA640480发展到目前4K超高清38402160的显示分辨P11请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日率微镜翻转角度不断扩大从最初产品的10发展到了主流12甚至最新一代的17目前DMD对比度可以达到20001以上远高于液晶空间光调制器LC-SLM小于13001为了满足光刻系统对分辨率的要求投影物镜要确保对应的精缩倍数以使得经DMD微镜系统反射的图像经过投影物镜在基片上所形成的曝光图像按一定比例缩小1投影系统的作用投影系统是将经过DMD数字掩模调制之后的图像投影到涂有光刻胶的硅晶圆上投影物镜的缩放倍率决定着光刻系统分辨率其精度直接影响最终生成的投影系统掩膜图案的质量2投影系统的双远心结构DMD角度偏转旋涂的光刻胶厚度不均基片放置时可能的倾斜这些因素造成的离焦常会导致对准或倍率误差为避免离焦的影响通常采用如右下图所示的投影透镜与物镜相组合形成的4f双远心结构对DMD出射光按固定倍率缩放工作台系统包括XY两个维度的精准定位运动台旋转台和调焦台1工作原理硅晶圆伴随工作台在XY方位实施精准的扫描与步进操作旋转台完成对水平角度的调控调焦台用于在竖直Z角度调控硅片和投影物镜的间距2工作台系统的作用由于DMD里单次曝光面积有限工件台系统在实现大面积图像曝光时需要结合光刻工件台来实现图像的拼接精密工作台系统是步进光刻曝光系统最为重要的子系统之一一般用于曝光时DMD数字掩膜投影物镜与工件台里硅制基片区位的校对和控制3工作台系统的精度要求工件台的运动精度直接影响着曝光的精度和效率由于在曝光前需要通过工作台实施定位一般要求工件台的运动精度要小于实际光刻加工的分辨力资料来源基于数字微镜器件的无掩膜光刻技术进展基于DMD无掩膜光刻系统中的关键技术研究基于DMD步进式投影光刻优化大面积微结构制作的方法研究与应用国盛证券研究所带电粒子直写光刻包括电子束光刻EBL聚焦离子束光刻FIB1电子束光刻ElectronBeamLithography即EBL电子束光刻EBL是利用电子枪所产生的电子束通过电子光柱的各极电磁透镜聚焦对中各种象差的校正电子束斑调整电子束流调整电子束曝光对准标记检测电子束偏转校正电子扫描场畸变校正等一系列调整最后通过扫描透镜根据电子束曝光程序的安排在涂布有光刻胶的基片表面上扫描出所需要的图形P12请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日图表13电子束直写光刻EBL系统结构图图表14栅格式扫描和矢量式扫描示意图从左到右分别为待加工图形栅格式扫描矢量式扫描资料来源柔性压印光刻和基于平面透镜的直写光刻技术研究英资料来源英生科技官网国盛证券研究所生科技官网国盛证券研究所2聚焦离子束光刻FocusedIonBeam即FIB离子束光刻IonBeamLithography即IBL可分为投影式离子束光刻即MIB使用掩膜版和聚焦离子束光刻即FIB不使用掩膜版聚焦离子束光刻FIB是一种无掩膜无电阻的扫描光刻技术在电场和磁场的作用下将离子束聚焦到亚微米甚至纳米量级通过偏转系统和加速系统控制离子束实现微细图形的检测分析和纳米结构的无掩模加工聚焦离子束曝光与电子束曝光本质上是一致的不同的是前者使用离子束而不是电子束来写入图案由于离子质量远大于电子因此散射率较低使得聚焦离子束曝光能够获得更高的分辨率和灵敏度其离子源主要为液态金属原子量较重可产生更高的溅射产率其中最常使用的为镓熔点较低聚焦离子束光刻FIB系统的功能十分强大可以实现溅射刻蚀诱导沉积离子注入扫描成像四种功能图表15双透镜聚焦离子束系统结构示意图图表16聚焦离子束光刻FIB的基本功能及溅射刻蚀工艺示意图资料来源基于灰度图的聚焦离子束溅射刻蚀微纳曲面结构工艺模型资料来源基于微纳检测及自动补偿的聚焦离子束加工技术研究研究聚焦离子束溅射刻蚀工艺建模与应用研究国盛证券研究聚焦离子束溅射刻蚀工艺建模与应用研究国盛证券研究所所掩膜光刻是由光源发出的光束经掩膜版在感光材料上成像具体可分为接触式光刻接近式光刻投影式光刻接触式光刻接触式光刻中掩膜版与光刻胶表面完全接触再进行曝光曝光后曝光区域和未被曝光区域的光刻胶有着不同的化学变化通过显影液的作用可以区分出曝光区域和未曝光区域实现曝光图案到光刻胶的转移P13请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日图表17接触式光刻原理示意图资料来源基于DMD的数字光刻光学系统的研究国盛证券研究所接近式光刻接近式光刻其曝光过程和接触式曝光一样只是在掩膜板和表面涂有光刻胶的基板之间的距离上有差别保持了数微米至几十微米的间隙然而这种间隙通常为10-50m能造成光衍射误差使得接近式光刻的分辨率降低图表18接近式光刻原理示意图资料来源基于DMD的数字光刻光学系统的研究国盛证券研究所投影式光刻投影式光刻通过透镜系统缩放掩膜图案至衬底表面成像质量与掩膜至衬底的距离无关仅受光学成像系统影响几乎克服了接触式曝光和接近式曝光中的常见问题投影式光刻可分为步进重复式投影光刻机DSW和步进扫描式投影光刻机SCANNER图表19投影式光刻原理示意图资料来源基于DMD的数字光刻光学系统的研究国盛证券研究所P14请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日图表20重复式投影光刻机结构示意图图表21步进扫描式投影光刻机结构示意图资料来源OpticalNote国盛证券研究所资料来源OpticalNote国盛证券研究所12主流光刻技术特征对比直写光刻更灵活适用范围更广掩膜光刻相较于接触式光刻和接近式光刻技术投影式光刻技术更加先进精度更高接触式光刻由于掩膜版与光刻胶的相互接触光刻胶会对掩膜版进行腐蚀因此接触式曝光的掩膜版使用时间比其他二者短其优缺点都很明显光的干涉较小分辨率高但是掩膜版易被污染损坏图形质量容易受影响接近式光刻接近式光刻一定程度上解决了接触式光刻掩膜版易受损的问题但这一间隙也影响了光学成像的质量由于衍射效应的存在接近式曝光方式的分辨率依然无法提高投影式光刻投影式光刻的优势在于既能避免掩膜版和光刻胶的接触也能减少衍射效应的影响从而延长掩膜版寿命提高光刻分辨率投影式光刻更加先进精度更高但是制造难度更大成本更高投影式光刻技术与直写光刻技术是当前产业中分工明确的两类光刻技术其中投影式光刻拥有更高的线宽分辨率精度和生产效率如重复式投影光刻和步进扫描式投影光刻的分辨率通常在十几纳米至几微米之间在半导体领域以荷兰ASML为代表主要采用的是投影式光刻中的微缩投影技术在平板显示领域以日本尼康为代表主要采用的是投影式光刻中的大幅面投影技术图表22光学光刻的发展趋势发展方向具体趋势光源波长不断降低从最开始435nm发展到157nm甚至是135nm的极紫外光EUV投影透镜的数值孔径不断增大从04发展到093工艺因子不断优化由08减小到035最小线宽不断演进从最早的微米亚微米减小到目前的纳米级别资料来源无掩模光刻技术及其曝光方案研究国盛证券研究所P15请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日图表23掩膜版线宽及其对应成本掩膜线宽nm成本10000180261308790150653004560022900-1440资料来源无掩模光刻技术及其曝光方案研究国盛证券研究所直写光刻可替代微米级接触接近式掩膜光刻替代投影式掩膜光刻仍存精度问题直写光刻是微纳光刻的重要分支它既具有投影光刻的技术特点如投影成像技术双台面技术步进式扫描曝光等又具有投影光刻所不具有的高灵活性低成本以及缩短工艺流程等技术特点在微米级的应用上直写光刻可以替代传统的掩膜光刻虽然与投影式光刻中制造芯片前道工序所用的EUV7nm及以下先进制程和DUV10nm以上及老旧制程相比直写光刻技术的先进性和精度不及前者但直写光刻技术的应用领域更加广泛具有更高的灵活性和广泛适应性与传统曝光技术相比直写光刻设备具备无需使用底片实现曝光工艺的绿色化生产生产周期短减少人工环节通过联机自动化系统实现智能化生产等多方面优势图表24直写光刻技术和微米级接触接近式掩膜光刻技术的特征对比序号对比方面传统曝光技术直接成像技术传统曝光解析受限于底片的图形解析能力且光线经过底片透射后发生角度变化底片直接成像无需底片其解析能力由微镜尺寸及成像镜与基板贴合的平整度等因素均会影响线宽头缩放倍率决定避免了底片的限制与影响可以实1光刻精度解析能力目前使用传统曝光底片银盐胶现更精细的线宽目前直接成像技术能够实现最高精片的传统曝光技术能够实现最高精度一般度可达5m的线宽约50m左右传统的曝光工艺中底片虽有较好的尺寸准直接成像技术不需要使用底片能够根据基板的标记确度但在使用过程中吸收光致热引起黑点直接测量实际变形量实时修改曝光图形避免了2对位精度色区域尺寸变化造成底片膨胀影响对位底片膨胀等问题能够有效提升对位精度精度直接成像采用数据驱动直接成像装置避免了传统曝传统曝光机由于使用底片导致光刻精度和3良品率光机采用底片使用过程中带来的缺陷有效提升了对对位精度较低从而影响产品的良率位精度等品质指标从而提升了产品生产的合格传统曝光工艺中需要大量使用底片而底片直接成像技术无需使用底片实现曝光工艺中的绿色4环保性的制作工序中会产生化学废液和底片废弃化生产具有良好的环保效应物从而对环境造成污染直接成像技术从CAM文件开始直接成像免除传统曝传统曝光工艺需要底片拉长了工艺流程5生产周期光所需的底片制作的工艺流程及返工流程能够缩短生产周期较长生产周期传统曝光工艺中所需的底片使用寿命约为直接成像技术不需要使用底片节约了底片的物料成6生产成本数千次底片的制造会有一定的物料和人工本和相关人力成本成本传统曝光工艺流程复杂需要先架设底片做直接成像技术可以简化曝光工艺流程实现生产过程首件确认且过程中需要频繁更换清洁底中便捷高效地切换产品型号从而满足客户柔性化生7柔性化生产片此外传统曝光设备的台面会限制PCB产需求此外直接成像设备基于高对位能力及智能产品尺寸及产出软件可实现双拼多拼小尺寸P16请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日直写光刻工艺简化了操作程序有效减少了人工环节传统的曝光工艺具有较多的人工环节人工从而减少了人为因素带来的生产质量问题另外直8自动化水平成本较高接成像联机自动化系统可以帮助客户实现无人化智能化生产资料来源公司招股书国盛证券研究所13公司为国内直写光刻设备龙头研发技术实力强劲芯碁微装立足直写光刻技术核心技术体系完善定增募集资金加码技术创新目前芯碁微装在激光直写光刻LDWLDI和基于空间光调制器光刻技术SLM中领跑全国解决了图形拼接大量级图形数据生成和高速实时无失真传输不同曝光镜头光刻线宽一致性等问题不断为全球市场提供新型高精度低成本的图形化解决方案公司在微纳直写光刻核心技术领域积累了丰富的技术成果涵盖系统集成技术光刻紫外光学及光源技术高精度高速实时自动对焦技术高精度高速对准多层套刻技术高精度多轴高速大行程精密驱动控制技术高可靠高稳定性及ECC技术高速实时高精度图形处理技术以及智能生产平台制造技术等八大核心技术截至2022年9月末公司累计获得授权专利128项直写光刻设备的总装机量超过了800台具有丰富的产业化应用经验2022年公司向特定对象发行A股募集资金用于直写光刻设备产业应用深化拓展项目及关键子系统核心零部件自主研发项目等持续加码核心设备研制能力截至2022年12月底公司年产能约为230台套2019-2021年度产量分别为107台套116台套以及186台套年复合增长率为3185P17请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日图表25关键子系统核心零部件自主研发项目具体内容关键子系统核心零部本项目拟自主研发的内容现有产业化基础件目前公司在PCB线上高精度运动平台的技术应用方面已获取多项技术发明专利主要涵盖定位运动平台正提升高精度导轨技术先进驱动技术超精密测交性调试装置平台动态平面度精密定位位置同步高精度运动平台量技术先进控制方法满足130nm90nm制方法及系统等在泛半导体的应用领域完成了130nm程需求提升高端直写掩膜版制版能力技术节点制版应用的部分技术论证即将进入工程研制样机阶段提升405nm紫外激光器国产化率扩大量产目前公司在405nm激光光源405nm425nm混合光研制百瓦级高功率激光器重点解决空间光耦源已实现小批量生产但总体功率偏低先进激光光源合合束等技术开发高功率的405nm425nm405nm520nm混合光源已完成样机设计测试和上混合光源405375nm混合光源开发248nm机验证阶段375nm光源和355nm固体激光器已完和193nm准分子激光器成前期调研离线测试并配合整机完成上机验证性能进一步提升突破大幅面均匀照明设计高精度大视场成像物镜设计与装配超大幅面密布目前公司已成功研发并小批量生产了FAST35超大幅面高解析度曝光引微型透镜小孔阵列设计加工与精密调整曝光焦MAS15MAS86WLP系列机型的曝光引擎解析能擎面自适应调整长共轭高解析曝光引擎集成与装力覆盖2m至35m调等一系列关键技术实现超大幅面高解析度曝光引擎的稳定量产与应用持续提高自动线的硬件性能和通用性能并在相公司自动化线子系统已经在MLB领域稳定应用并实关硬件基础上进行逻辑控制和传感器的优化满高稳定性全自动化线配套现了市场销售在FPC及PCB阻焊领域的应用进入初足日益增加的产能需求开发市场领先的高稳定步方案设计阶段性全自动化传输关键子系统目前公司使用深度学习技术进行了靶标检测安全检研发高精度快速的靶标检测算法安全检测算法智能化直写光刻系统测和智能客服的前期研究已完成技术调研和方案认以及智能客服系统等证针对晶圆运输机器人晶圆对准装置和装载系统公司成功开发了LDWMLCWLPMLF等泛半导体半导体设备前端系统模组展开研发包括硬件设计电控系统零部件国领域直写光刻设备在半导体设备的产品设计技术EFEM内供应商开发软件控制系统开发系统集成和研发及工艺应用方面具备一定的经验基础调试等资料来源公司定增募集说明书国盛证券研究所P18请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日2PCB业务传统替代国产替代双轮驱动公司增长动力充足21下游需求消费电子周期底部AI带动服务器通信等板块高增长PCB产业整体趋势向稳作为电子产品之母据Prismark的统计数据2022年全球PCB产业总产值达81741亿美元同比增长101预计2022至2027年之间全球PCB行业产值将以38的年复合增长率增长到2027年将达到98388亿美元中国市场方面得益于全球PCB产能向中国转移以及下游产业的迅速发展2021年中国PCB的市场规模出现了显著的增长达300139亿元同比增长2459目前来看虽然全球消费电子和汽车行业需求疲软对PCB行业造成了一定的压力但得益于消费电子的底部复苏以及AI带动算力需求的背景下服务器通信等下游板块高增长根据Prismark预测2023年中国PCB产值仍然会维持高位预测产值为309663亿元中国大陆仍保持PCB核心市场的地位从中国市场占全球市场规模来看Prismark数据显示中国大陆PCB产值占全球PCB总产值占比已由2014年的4564上升到2021年的5464从2016年开始中国大陆PCB市场占全球产值比例开始在50以上2022年占全球的5328保持首位据Prismark预测2022-2027年中国大陆地区PCB产值复合增长率约为33预计到2027年将达到51133亿美元保持稳健增长图表262018-2027年全球PCB市场规模趋势预测图图表272017-2023年中国PCB市场规模预测趋势图市场规模亿美元YOY12003000市场规模亿元YOY35003096633000307816240798388300139943692500100030002500819768870224598092817412000240911783642500225059226683800204598200065219150062396613112000600100015008206376391500500400426100010001000101000628-174200461500500-413-5002560720-10000000201820192020202120222023E2024E2025E2026E2027E2017201820192020202120222023E060资料来源Prismark中商产业研究院国盛证券研究所资料来源Prismark中商产业研究院国盛证券研究所P19请仔细阅读本报告末页声明2023年08月27日图表282014-2022年中国大陆PCB产值全球比例中国大陆PCB产值占全球比例560054645367538354005328524052005051500050004828480045644600440042004000201420152016201720182019202020212022资料来源Prismark华经产业研究院国盛证券研究所PCB下游多板块需求强劲消费电子周期底部复苏服务器通信等板块高增长根据华经产业研究院发布的2022-2027年中国消费电子行业发展前景及投资战略咨询报告显示全球消费电子市场规模在2020年受疫情影响而有所下滑市场规模为9827亿美元但随着新兴技术如5GVR物联网等的发展和应用全球消费电子市场将呈现复苏态势全球消费电子市场规模有望在2023年恢复到11081亿美元的水平服务器板块高增长AI快速发展带来的大算力时代激发HDI类载板IC载板等中高端PCB板需求也激发了对服务器等数据存储板块的需求根据中商产业研究院我国服务器市场规模由2019年的182亿美元增长至2022年的2734亿美元复合增长率约为145预计2023年将增至308亿美元据Prismark预测从全球PCB各应用领域来看应用于服务器的PCB产值在2026年将达到12574亿美元占比将达122021年-2026年的复合增长率为100由于服务器的算力提升主要依靠CPU芯片和总线而PCB是pcle总线的关键组件总线的升级对于PCB的层数和介电损耗有要求因而服务器PCB的层数增加和其它性能的升级也会同步推动HDI类载板IC载板等中高端PCB的需求通信板块需求增长根据工信部2022年通信业统计公报2022年全国移动通信基站总数达到了1083万个其中5G基站占比达到了213较上年末提高了7个百分点5G基站相比4G基站PCB的用量有显著的提升同时对高频高速PCB的需求增加对通信用PCB来说有望带来产量和价格的双增长据Prismark数据统计应用于有线通讯基础设施和无线通讯基础设施领域的PCB产值在2021-2026年的复合增长率分别为53和56P20请仔细阅读本报告末页声明