MEMS陀螺仪利用科里奥利力去测量角速度，用MEMS工艺实现，一般采用梳齿电容静电驱动质量块振动，角速度带来质量块另外一个方向的位移，用电容检测该位移从而计算出角速度。MEMS陀螺仪基本都是谐振式陀螺仪，主要部件有支撑框架、谐振质量块及激励和测量单元，工作模态分为驱动模态与检测模态，两种模态的工作状态、稳定控制及后续信号处理都需要通过外围电路来实现，静电驱动是目前大部分MEMS陀螺仪采用的驱动方法，检测方式包括电磁检测、电容检测、压电检测和压阻检测等。
　　零偏稳定性是衡量陀螺仪性能的主要核心指标，用来衡量陀螺仪在一个工作周期内，当输入角速率为零时，陀螺仪输出值围绕其均值的离散程度，数值越小表示性能越高。按照该指标不同，陀螺仪又分为消费级、战术级、导航级、战略级，当前MEMS陀螺仪可以达到导航级的精度水平。MEMS陀螺仪因其体积小、重量轻、功耗低、成本低等诸多优点，在消费电子领域已经获得了广泛应用，随着技术进步，高精度MEMS陀螺仪在工业、商用航空航天、商用船舶导航以及武器装备领域的渗透率存在较大提升空间。
　　由于MEMS传感器中复杂的极微小型机械系统的存在，MEMS传感器的芯片设计和工艺研发必须紧密配合。一方面，制造端已有的工艺路线在很大程度上决定了芯片的设计路线；另一方面，芯片的设计路线又需要对制造端的工艺模块进行重组和调试。因此，MEMS传感器的研发企业必须同时进行芯片和工艺端的研发。在MEMS陀螺仪工艺路线上，SOI结构渐渐成为加工MEMS器件的主要技术，ASIC一般采用CMOS工艺；MEMS器件一般采用晶圆级封装，CMOS、MEMS等器件集成封装正在向3D集成技术发展，用较短的垂直互连取代很长的二维互连，从而减低了系统寄生效应和功耗，并达到体积最小化和优良电性能的高密度互连目的。
　　国内MEMS陀螺仪相关厂商包括芯动联科、美泰科技、深迪半导体、矽睿科技等。其中，芯动联科主要做高性能产品，典型产品33系列陀螺仪的零偏稳定性为0.1°/h，相较于其他厂商，该指标领先1-2个数量级。
　　风险提示：MEMS陀螺仪性能提升速度趋缓、MEMS陀螺仪行业竞争加剧、存在其他新技术替代MEMS陀螺仪等。
　　

研究报告全文：证券研究报告国防军工深度报告2023年8月18日行业投资评级高精度MEMS陀螺仪深度之一原理工艺与产强于大市维持业链行业基本情况MEMS陀螺仪利用科里奥利力去测量角速度用MEMS工艺实收盘点位146927现一般采用梳齿电容静电驱动质量块振动角速度带来质量块另外52周最高169195一个方向的位移用电容检测该位移从而计算出角速度MEMS陀螺52周最低141325仪基本都是谐振式陀螺仪主要部件有支撑框架谐振质量块及激励行业相对指数表现相对值和测量单元工作模态分为驱动模态与检测模态两种模态的工作状态稳定控制及后续信号处理都需要通过外围电路来实现静电驱动国防军工沪深300是目前大部分MEMS陀螺仪采用的驱动方法检测方式包括电磁检-1测电容检测压电检测和压阻检测等-6零偏稳定性是衡量陀螺仪性能的主要核心指标用来衡量陀螺仪在一个工作周期内当输入角速率为零时陀螺仪输出值围绕其均值-11的离散程度数值越小表示性能越高按照该指标不同陀螺仪又分为消费级战术级导航级战略级当前MEMS陀螺仪可以达到导-162022-082022-102023-012023-032023-062023-08航级的精度水平MEMS陀螺仪因其体积小重量轻功耗低成本低等诸多优点在消费电子领域已经获得了广泛应用随着技术进步资料来源聚源中邮证券研究所高精度MEMS陀螺仪在工业商用航空航天商用船舶导航以及武研究所器装备领域的渗透率存在较大提升空间分析师鲍学博SAC登记编号S1340523020002由于MEMS传感器中复杂的极微小型机械系统的存在MEMSEmailbaoxuebocnpseccom传感器的芯片设计和工艺研发必须紧密配合一方面制造端已有的分析师王煜童SAC登记编号S1340523070004工艺路线在很大程度上决定了芯片的设计路线另一方面芯片的设Emailwangyutongcnpseccom计路线又需要对制造端的工艺模块进行重组和调试因此MEMS传近期研究报告感器的研发企业必须同时进行芯片和工艺端的研发在MEMS陀螺仪工艺路线上SOI结构渐渐成为加工MEMS器件的主要技术ASIC中邮军工7月月报35家军工企业一般采用CMOS工艺MEMS器件一般采用晶圆级封装CMOS披露半年报业绩预告看好中期调整MEMS等器件集成封装正在向3D集成技术发展用较短的垂直互连后军工行业发展机遇-20230801取代很长的二维互连从而减低了系统寄生效应和功耗并达到体积最小化和优良电性能的高密度互连目的国内MEMS陀螺仪相关厂商包括芯动联科美泰科技深迪半导体矽睿科技等其中芯动联科主要做高性能产品典型产品33系列陀螺仪的零偏稳定性为01h相较于其他厂商该指标领先1-2个数量级风险提示MEMS陀螺仪性能提升速度趋缓MEMS陀螺仪行业竞争加剧存在其他新技术替代MEMS陀螺仪等市场有风险投资需谨慎请务必阅读正文之后的免责条款部分目录1MEMS陀螺仪工作原理411用科里奥利力测量角速度412用MEMS实现静电驱动电容检测52高精度与消费级MEMS陀螺仪的主要区别621高精度MEMS陀螺仪的四大应用领域722不同精度MEMS陀螺仪的结构差异83MEMS与ASIC制备封装工艺与测试931MEMS工艺1032ASIC工艺1533封装工艺1534测试164MEMS陀螺仪产业链1641MEMS陀螺仪产业链及相关企业1642国内MEMS陀螺仪性能指标对比185风险提示19请务必阅读正文之后的免责条款部分2图表目录图表1科里奥利力原理4图表2典型MEMS陀螺仪结构6图表3各类别陀螺仪的主要应用领域主要技术代表厂商6图表4高性能MEMS惯性传感器的四大应用领域7图表5陀螺技术应用现状7图表6陀螺技术应用远景7图表7单质量块陀螺仪示意图8图表8双质量块陀螺仪示意图8图表9MEMS惯性器件的发展9图表10国内外相关企业先进MEMS陀螺仪结构及零偏稳定性9图表7湿法SOG工艺11图表8湿法SOG工艺制作的MEMS陀螺仪SEM照片11图表11干法SOG工艺11图表12正面体硅工艺12图表13体硅SOI工艺13图表14表面硅工艺14图表15硅MEMS工艺对比14图表16圆片级封装示意图15图表173D集成示意图16图表18MEMS陀螺仪产业链18图表19国内MEMS陀螺仪相关企业及典型产品性能19请务必阅读正文之后的免责条款部分31MEMS陀螺仪工作原理11用科里奥利力测量角速度科里奥利力Coriolisforce是对旋转体系中进行直线运动的质点由于惯性相对于旋转体系产生的直线运动的偏移的一种描述科里奥利力来自于物体运动所具有的惯性是在转动的坐标系里为了解释运动物体由于坐标转动发生偏转的现象而引入的一种虚构的力MEMS陀螺仪通过科里奥利力来测量角速度ADI官网介绍了MEMS陀螺仪的工作原理设在以角速度沿逆时针方向转动的水平圆盘上有AB两点O为圆盘中心且有OAOB在A点以相对于圆盘的速度V沿半径方向向B点抛出一球如果圆盘是静止的则经过一段时间tOA-OBV后球会到达B但结果是球到达了B转动的前方一点对这现象可如下分析由于圆盘在转动故球离开A时除了具有径向速度外还具有切向速度而B的切向速度为由于B的位置靠近圆心所以在垂直于AB的方向上球运动得比B远些这是在盘外不转动的惯性系观察到的情形图表1科里奥利力原理资料来源ADI官网中邮证券研究所科里奥利力公式推导如下以转动系为参考系球从A到B的时间是请务必阅读正文之后的免责条款部分4在t时间内球偏离AB的距离BB2在很小的情况下可以认为沿BB的运动是匀加速运动而初速为0则BB122与上一结果比较可得2其中是已知的通过测量就可以计算出角速度12用MEMS实现静电驱动电容检测MEMS陀螺仪基本都是谐振式陀螺仪主要部件有支撑框架谐振质量块及激励和测量单元MEMS陀螺主要有线振动型陀螺和谐振环型陀螺前者工艺简单利于大批量低成本生产后者具有更高的理论精度但结构及原理更为复杂MEMS陀螺仪的工作模态分为驱动模态与检测模态两种模态的工作状态稳定控制及后续信号处理都需要通过外围电路来实现静电驱动是目前大部分MEMS陀螺仪采用的驱动方法静电驱动的基本原理是平板电容器主要有两种驱动方式一是通过平行电容极板间距变化来产生驱动静电力二是通过平行电容极板正对面积变化来产生驱动静电力根据陀螺仪的不同结构类型目前MEMS陀螺仪有多种检测方式例如电磁检测电容检测压电检测和压阻检测等请务必阅读正文之后的免责条款部分5图表2典型MEMS陀螺仪结构资料来源MEMS惯性传感器研究现状与发展李晓阳中邮证券研究所2高精度与消费级MEMS陀螺仪的主要区别零偏稳定性是衡量陀螺仪性能的主要核心指标用来衡量陀螺仪在一个工作周期内当输入角速率为零时陀螺仪输出值围绕其均值的离散程度数值越小表示性能越高按照该指标不同陀螺仪又分为消费级战术级导航级战略级当前MEMS陀螺仪可以达到导航级的精度水平图表3各类别陀螺仪的主要应用领域主要技术代表厂商类别战略级导航级战术级消费级高端工业如测绘资源应用领域航天航海航空长航时无人系统消费电子勘探车辆和飞行器零偏稳定性001001-015015-1515h标度因数精11-100100-10001000度ppm角度随机游001001-005005-0505走h机电陀螺仪激光激光陀螺仪光纤陀螺激光陀螺仪光纤陀螺MEMS陀螺陀螺仪技术陀螺仪光纤陀螺仪动力调谐陀螺仪仪动力调谐陀螺仪仪仪MEMS陀螺仪MEMS陀螺仪HoneywellHoneywellNorthropHoneywellSensonorSensonor代表厂商HoneywellGrummanEmcore芯动ADISiliconSensingADI联科Emcore芯动联科SiliconSensing资料来源芯动联科招股说明书中邮证券研究所请务必阅读正文之后的免责条款部分621高精度MEMS陀螺仪的四大应用领域MEMS陀螺仪因其体积小重量轻功耗低成本低等诸多优点在消费电子领域已经获得了广泛应用随着技术进步高精度MEMS陀螺仪在工业商用航空航天商用船舶导航以及武器装备领域的渗透率存在较大提升空间图表4高性能MEMS惯性传感器的四大应用领域资料来源先进微陀螺器件及微惯性测量单元最新研究进展何杰中邮证券研究所当前MEMS陀螺仪产品已进入零偏稳定性01h量级随着微加工技术的进一步成熟MEMS陀螺仪和加速度计将占据中低精度惯性仪表的主要市场图表5陀螺技术应用现状图表6陀螺技术应用远景资料来源高性能MEMS惯性器件工程化关键技术研资料来源高性能MEMS惯性器件工程化关键技术究邢朝洋中邮证券研究所研究邢朝洋中邮证券研究所请务必阅读正文之后的免责条款部分722不同精度MEMS陀螺仪的结构差异对于单质量块陀螺外界振动产生的输出不能与科里奥利力引起的响应区分开来对于双质量块音叉式微陀螺通过左右质量块作反相运动能够消除共模振动为了进一步提高其精度可以提高质量块质量降低共振频率或者增加品质因数图表7单质量块陀螺仪示意图图表8双质量块陀螺仪示意图资料来源ADI官网中邮证券研究所资料来源ADI官网中邮证券研究所消费级MEMS陀螺大多采用传统的音叉结构无法满足高精度特殊环境下的应用需求军用高端MEMS陀螺技术路线和商用MEMS陀螺技术路线完全不同军用高端MEMS陀螺技术路线基本都是采用环境适应性好的全对称结构MEMS芯片设计结构从传统双质量块方案向四质量块结构多环结构等新型对称结构发展MEMS陀螺仪相关研究单位有美国DARPADraper实验室霍尼韦尔公司大西洋惯性系统公司InvenSense公司波音公司斯坦福大学密歇根大学加州大学HRL实验室等英国BAE系统公司挪威Sensonor公司日本东北大学东芝公司等在美国DARPANGIMG项目支持下多环碟形陀螺最高精度达0003h当前MEMS陀螺仪正逐渐取代低端应用领域光纤陀螺但取代那些精度要求高的应用仍需要时间请务必阅读正文之后的免责条款部分8图表9MEMS惯性器件的发展资料来源2017年国外惯性技术发展与回顾薛连莉中邮证券研究所MEMS陀螺仪的性能及技术水平是高性能MEMS惯性传感器行业技术水平的集中体现技术水平先进的国内外企业在MEMS结构设计MEMS工艺ASIC设计方面均具备较强实力图表10国内外相关企业先进MEMS陀螺仪结构及零偏稳定性企业MEMS结构与零偏稳定性波音环结构0012h研发暂停霍尼韦尔双质量块音叉结构001h在研025h诺格四质量块音叉结构0021h在研ADI四质量块音叉结构11hSensonor蝶形结构03hSiliconSensing环形结构003h芯动联科四质量全解耦音叉结构005h资料来源芯动联科招股说明书中邮证券研究所3MEMS与ASIC制备封装工艺与测试由于MEMS传感器中复杂的极微小型机械系统的存在MEMS传感器的芯片设计和工艺研发必须紧密配合一方面制造端已有的工艺路线在很大程度上决定了芯片的设计路线另一方面芯片的设计路线又需要对制造端的工艺模块进行重组和调试因此MEMS传感器的研发企业必须同时进行芯片和工艺端的研发请务必阅读正文之后的免责条款部分9MEMSFabless经营模式与大规模集成电路的Fabless经营模式存在一定的不同主要体现为大规模集成电路的制造采用CMOS标准工艺第三方制造企业工艺积累相对成熟MEMSFabless企业工艺一般要经过MEMS工艺导入工艺优化与调整设计路线调整以及批量生产阶段31MEMS工艺硅基MEMS加工技术主要包括体硅MEMS加工技术和表面MEMS加工技术体硅MEMS加工技术的主要特点是通过对硅衬底材料的深刻蚀可得到较大纵向尺寸可动微结构体硅工艺包括湿法SOG玻璃上硅工艺干法SOG工艺正面体硅工艺SOI绝缘体上硅工艺表面MEMS加工技术主要通过在硅片上生长氧化硅氮化硅多晶硅等多层薄膜来完成MEMS器件的制作利用表面工艺得到的可动微结构的纵向尺寸较小但与IC工艺的兼容性更好易与电路实现单片集成湿法SOGSOG工艺是通过阳极键合技术形成牢固的硅-氧键将硅圆片与玻璃圆片粘在一起硅作为MEMS器件的结构层玻璃作为MEMS器件的衬底层结构层由浓硼层形成对于各向异性的腐蚀液当硼掺杂原子浓度不小于1019cm-3时相对同样的单晶硅其腐蚀速率下降5100倍利用各向异性腐蚀液对高掺杂层的低腐蚀速率特性达到腐蚀停止的目的采用深反应离子刻蚀DRIE工艺在浓硼层上形成各种设计的MEMS结构再与玻璃键合采用自停止腐蚀去除上层多余的单晶硅完成加工受扩散深度与浓度的限制MEMS器件结构层的厚度一般小于30m而且由于高浓度掺杂会造成硅结构损伤带来结构应力硅与玻璃的材料不匹配性也会带来较大结构应力自停止硅湿法腐蚀具有较低的加工精度另外由于存在高温工艺也不适用于与IC的单片集成这些是湿法SOG加工技术的缺点但此工艺比较成熟工艺简单也适合一些性能要求不高的MEMS器件的加工以及批量加工如MEMS陀螺仪加速度计MEMS执行器等请务必阅读正文之后的免责条款部分10图表7湿法SOG工艺图表8湿法SOG工艺制作的MEMS陀螺仪SEM照片资料来源硅MEMS器件加工及展望徐永青中邮资料来源硅MEMS器件加工及展望徐永青中邮证券研究所证券研究所干法SOG基本工艺结构类似湿法SOG工艺同湿法SOG工艺相比采用磨抛减薄的工艺取代了浓硼掺杂与湿法腐蚀形成MEMS芯片的结构层省去高温长时间硼掺杂会降低对结构层的损伤也避免了有毒或者容易带来工艺沾污的湿法腐蚀步骤适用于陀螺仪加速度计光开关衰减器图表11干法SOG工艺资料来源硅MEMS器件加工及展望徐永青中邮证券研究所正面体硅正面体硅工艺结合了深刻蚀浓硼掺杂与湿法腐蚀工艺首先对N型硅片进行浓硼掺杂浓度满足硅湿法自停止腐蚀要求然后DRIE硅结构刻蚀深度大于浓硼层的厚度最后在自停止腐蚀液里进行腐蚀释放结构请务必阅读正文之后的免责条款部分11优点在单层硅片上完成MEMS芯片的加工省去了与玻璃片的键合因此不存在由于材料不匹配带来的应力影响适用于光开关光衰减器反射镜阵列缺点存在高温掺杂工艺不易与IC芯片集成正面体硅采用PN结达到电极隔离目的存在击穿电压与漏电的限制图表12正面体硅工艺资料来源硅MEMS器件加工及展望徐永青中邮证券研究所体硅SOI体硅SOI采用全硅结构通过硅-硅键合技术将硅与硅片粘接在一起由于是全硅结构因此不存在由于热膨胀系数带来的应力影响结构层厚度可达80m并具有较高的加工精度易于电路单片集成优点适用于更多的MEMS器件的制造可用于制作MEMS惯性器件包括陀螺加速度计振动传感器等MEMS光学器件包括光开关衰减器等生物MEMS流体MEMS等多种MEMS器件具有更广的适用性可实现批量加工需求是目前的主流加工工艺请务必阅读正文之后的免责条款部分12图表13体硅SOI工艺资料来源硅MEMS器件加工及展望徐永青中邮证券研究所表面硅表面硅MEMS加工技术是在集成电路平面工艺基础上发展起来的一种MEMS工艺技术它利用硅平面上不同材料的顺序淀积和选择腐蚀来形成各种微结构相对于体硅工艺表面工艺由于保持了衬底的完整性更容易与CMOS工艺兼容但是表面工艺的缺点是不易加工高深宽比的器件结构一般厚度小于2mMEMS芯片的灵敏度将受限制因此目前也出现了表面与体硅组合的加工技术适应一些器件的特殊需求例如采用表面与体硅组合技术制作的MEMS热对流传感器压阻传感器等请务必阅读正文之后的免责条款部分13图表14表面硅工艺资料来源硅MEMS器件加工及展望徐永青中邮证券研究所SOI硅片有很多的优点主要包括单晶特性良好很容易加工出厚度很大的器件很容易加工出具有高深宽比的结构器件的机械稳定性良好制造的器件的残余应力比较小以及器件的后续工艺更简单等SOI结构渐渐成为了加工MEMS器件的主要技术图表15硅MEMS工艺对比MEMS工艺特点适用范围工艺成熟简单但刻蚀精度低高浓度掺杂湿法SOG陀螺仪加速度计执行器与硅-玻璃键合带来结构应力陀螺仪加速度计光开关衰减干法SOG省去高温长时间硼掺杂会降低对结构层的损伤器在单层硅片上完成MEMS芯片的加工不存在正面体硅由于材料不匹配带来的应力影响采用PN结达光开关光衰减器反射镜阵列到电极隔离目的存在击穿电压与漏电的限制惯性器件包括陀螺加速度计当前主流工艺全硅结构不存在由于热膨胀系振动传感器等光学器件包括体硅SOI数带来的应力影响结构层厚度可达80m并光开关衰减器等生物MEMS具有较高的加工精度易于电路单片集成流体MEMS在集成电路平面工艺基础上发展起来的更容易表面硅与CMOS工艺兼容不易加工高深宽比的器件MEMS热对流传感器压阻传感器结构一般厚度小于2m灵敏度受限制资料来源硅MEMS器件加工及展望徐永青中邮证券研究所请务必阅读正文之后的免责条款部分1432ASIC工艺MEMS芯片需要在ASIC芯片的驱动控制下感应外部待测信号并将其转化为电容电阻电荷等信号变化ASIC芯片再将上述信号变化转化成电学信号ASIC芯片一般集成了电源管理温度传感模态匹配正交误差补偿温度校准及自诊断等电路一方面可以实现传感器内部自校准自补偿使系统应用更简单精度更高重复性更好另一方面可以对陀螺仪的工作状态进行监测提高输出数据的可靠性ASIC一般采用CMOS工艺33封装工艺MEMS器件封装由于MEMS器件普遍具有悬浮可动结构使得它具有容易损坏粘附潮气和灰尘等缺点MEMS器件一般采用晶圆级封装可以提高MEMS组件工作的可靠性和长期稳定性同时有利于降低后道封装成本圆片级封装采取的手段就是在功能圆片加工完成后再在上面对准后扣上一个圆片相当于通过一次工艺就给功能圆片上的每个芯片戴上了一顶帽子作为帽子的圆片要具备一定的腔体不能够破坏MEMS可动结构两个圆片主要通过静电键合直接键合硅片熔融键合共晶焊接和粘接等手段实现图表16圆片级封装示意图资料来源硅MEMS器件加工及展望徐永青中邮证券研究所请务必阅读正文之后的免责条款部分15MEMS器件与CMOS器件3D集成随着体积与成本的要求目前封装正在向3D集成技术发展将CMOSMEMS等器件集成封装用较短的垂直互连取代很长的二维互连从而减低了系统寄生效应和功耗并达到体积最小化和优良电性能的高密度互连目的3D集成技术主要包括材料匹配技术综合屏蔽技术穿硅通孔TSV的形成与金属化圆片减薄与对准键合技术图表173D集成示意图资料来源硅MEMS器件加工及展望徐永青中邮证券研究所34测试与规模化批量测试的传统芯片不同高性能MEMS惯性传感器芯片由体硅工艺加工形成内部架构复杂定制化产品较多需要在长期的测试过程中不断摸索和提升与高性能MEMS惯性传感器匹配的测试技术高性能MEMS惯性传感器测试标定需要利用专用测试软硬件系统采集多温度点的静态和动态传感器输出数据并对采集数据进行信号分析与处理计算出优化后的传感器配置参数再将配置参数写入ASIC芯片中4MEMS陀螺仪产业链41MEMS陀螺仪产业链及相关企业MEMS陀螺仪产业链可分为芯片设计晶圆制造封装测试三个环节以及IDM厂我国MEMS陀螺仪的研究起源于二十世纪八十年代国家投入了大量请务必阅读正文之后的免责条款部分16经费进行MEMS陀螺仪方面的研究在硅基MEMS惯性技术产品研制方面主要集中在传统的惯性技术研制单位和部分微电子技术研制单位包括航天科技13所航天科工33所航空618所中电13所和兵器214所等航天科技13所研发中心MEMS技术研究室是专门从事MEMS陀螺仪MEMS加速度计研制生产的创新研发团队研究室拥有一条完整的硅基MEMS工艺线洁净厂房面积1000余平米设备100余台套开发出国际一流的全硅晶圆级真空封装工艺具备完整的MEMS惯性器件加工封装测试能力承担多项国家重大基础研究项目在MEMS惯性器件结构工艺封装测试ASIC电路等方面积累丰富获国防技术发明奖3项编制国军标3项申请发明专利70多项与国内多所高校及科研院所建立了合作关系研制的MEMS陀螺仪MEMS加速度计在十三五测评中综合指标名列前茅并已在多个重点型号中批量装备航天科工33所在上世纪90年代即启动石英惯性仪表的研制工作随着研究的深入以及系统装备的需求33所已建成了总面积达2000m2的净化厂房兼容目前已相对成熟的石英音叉陀螺石英振梁加速度计以及正在研发阶段的硅基MEMS仪表的研制需求整条研制线设备齐套形成了从前端加工到后端封装的完整的制造能力航空618所拥有我国航空工业唯一国内一流的全流程MEMS研发工艺平台其智能传感产业基地项目开工仪式于2022年9月13日在沣东新城举行该项目总投资116亿元规划建设面积约9万平方米建设内容包括MEMS生产线微系统及微机电系统传感器生产调试线光纤陀螺研发生产基地等建成后预计5年累计产值超过80亿元中国电子科技集团13所是国内最早得到重点扶持的企业下属子公司美泰科技美泰电子科技有限公司专门致力于MEMS器件与系统的研发生产和销售在1995年就率先开始了MEMS技术与产品的探索与研发推出了我国首款实用化MEMS加速度传感器占领了惯性技术的高地公司连续多年荣获中国半导体MEMS十强企业IC独角兽企业立足20年MEMS研发积累和市场开拓背靠世界500强CETC央企拥有国内一流的MEMS人才团队和软硬件条件美泰公司成为了集研发设计制造封装测试和系统集成为一体的MEMSIDM请务必阅读正文之后的免责条款部分17创新企业形成了MEMS惯性器件与系统MEMS传感器射频RFMEMS器件三大类的优势产品谱系满足了航空航天新能源汽车智能驾驶智慧城市物联网和5G通信等战略新兴产业对MEMS产品的迫切需求芯动联科成立于2012年基于半导体的行业积累独创的微纳结构设计采纳先进的MEMS工艺特有的封装方案及现代化的管理模式和完善的人才积累融合集成电路与传统高端惯性行业促进惯性传感器压力传感器等传感器向智能化微型化易用化本土化IC化发展自公司成立以来公司产品已广泛应用于工业生产工业设备监测与维护无人系统导航与控制海洋监测气象预报水上水下无人设备导航与控制石油勘探测量与测绘桥梁监测地质勘探灾情预警等领域并获得了各领域多国家客户的一致认可和批量订购图表18MEMS陀螺仪产业链芯片设计晶圆制造封装测试InvensenseMicralynetyledyne长电科技芯动联科TronicsTDK日月光半导体深迪半导体台积电TSMC华天科技矽睿科技X-FABSiliconFoundries北方电子院安徽公司敏芯股份索尼SONY格罗方德赛微电子Silex中芯集成无锡华润微电子华润上华上海先进ASMC华虹宏力苏州工业园区纳米产业技术研究院北方电子院安徽公司博世意法半导体ADI霍尼韦尔电科13所美泰科技航天科工33所航天科技13所航空618所美新半导体士兰微资料来源芯动联科招股说明书高性能MEMS惯性器件工程化关键技术研究邢朝洋中邮证券研究所42国内MEMS陀螺仪性能指标对比国内MEMS陀螺仪相关厂商包括芯动联科美泰科技深迪半导体矽睿科技等其中芯动联科主要做高性能产品典型产品33系列陀螺仪的零偏稳定性为01h相较于其他厂商该指标领先1-2个数量级请务必阅读正文之后的免责条款部分18图表19国内MEMS陀螺仪相关企业及典型产品性能企业简介及代表产品成立于2012年公司注册地位于安徽省蚌埠市基于半导体的行业积累独创的微纳结构设计采纳先进的MEMS工艺特有的封装方案及现代化的管理模式和完善的人才积累融合集成电路与传统高端惯性行业芯动联科促进惯性传感器压力传感器等传感器向智能化微型化易用化本土化IC化发展典型产品33系列零偏稳定性01h成立于2008年是中国首家研发设计商用消费级和汽车级微机电系统MEMS陀螺仪系列惯性传感器的公深迪半导体司产品主要应用于IOT手机智能终端智能家居人工智能工业和智能驾舱等领域典型产品SZ007A零偏稳定性17h美泰电子专门致力于MEMS器件与系统的研发生产是国内最大的MEMS核心芯片器件和系统产品供应商优势产品包括MEMS惯性器件与系统MEMS传感器汽车传感器压力传感器射频MEMS器件美泰科技等广泛应用于航空航天高铁汽车自动驾驶通信等领域典型产品MNV420A组合导航系统零偏稳定性10h成立于2012年产品包括多款MEMS传感器如六轴IMU加速度计环境传感器组合传感器等磁性传感器芯片如磁力计磁编码器电流传感器霍尔传感器等及汽车与物联网智能模组和系统应用矽睿科技市场聚焦智能手机智能穿戴物联网智能制造汽车电子并向智慧医疗元宇宙与自动驾驶市场演进典型产品QMI8658消费级创立于2007年主导构建了中国MEMS产业链被赞誉为产业拓荒者2020年8月登录科创板被誉为敏芯股份MEMS芯片第一股是目前中国屈指可数掌握多品类MEMS芯片设计和制造工艺能力的企业公司目前主要产品线包括MEMS麦克风MEMS压力传感器和MEMS加速度计MEMS陀螺仪仍处于预研阶段资料来源各公司官网中邮证券研究所5风险提示MEMS陀螺仪性能提升速度趋缓MEMS陀螺仪行业竞争加剧存在其他新技术替代MEMS陀螺仪等请务必阅读正文之后的免责条款部分19中邮证券投资评级说明投资评级标准类型评级说明买入预期个股相对同期基准指数涨幅在20以上报告中投资建议的评级标准增持预期个股相对同期基准指数涨幅在10与20之间报告发布日后的6个月内的相股票评级对市场表现即报告发布日后中性预期个股相对同期基准指数涨幅在-10与10之间的6个月内的公司股价或行业指数可转债价格的涨跌回避预期个股相对同期基准指数涨幅在-10以下幅相对同期相关证券市场基准强于大市预期行业相对同期基准指数涨幅在10以上指数的涨跌幅市场基准指数的选取A股市行业评级中性预期行业相对同期基准指数涨幅在-10与10之间场以沪深300指数为基准新三板市场以三板成指为基准弱于大市预期行业相对同期基准指数涨幅在-10以下可转债市场以中信标普可转债推荐预期可转债相对同期基准指数涨幅在10以上指数为基准香港市场以恒生指数为基准美国市场以标普可转债谨慎推荐预期可转债相对同期基准指数涨幅在5与10之间500或纳斯达克综合指数为基评级中性预期可转债相对同期基准指数涨幅在-5与5之间准回避预期可转债相对同期基准指数涨幅在-5以下分析师声明撰写此报告的分析师一人或多人承诺本机构本人以及财产利害关系人与所评价或推荐的证券无利害关系本报告所采用的数据均来自我们认为可靠的目前已公开的信息并通过独立判断并得出结论力求独立客观公平报告结论不受本公司其他部门和人员以及证券发行人上市公司基金公司证券资产管理公司特定客户等利益相关方的干涉和影响特此声明免责声明中邮证券有限责任公司以下简称中邮证券具备经中国证监会批准的开展证券投资咨询业务的资格本报告信息均来源于公开资料或者我们认为可靠的资料我们力求但不保证这些信息的准确性和完整性报告内容仅供参考报告中的信息或所表达观点不构成所涉证券买卖的出价或询价中邮证券不对因使用本报告的内容而导致的损失承担任何责任客户不应以本报告取代其独立判断或仅根据本报告做出决策中邮证券可发出其它与本报告所载信息不一致或有不同结论的报告报告所载资料意见及推测仅反映研究人员于发出本报告当日的判断可随时更改且不予通告中邮证券及其所属关联机构可能会持有报告中提到的公司所发行的证券头寸并进行交易也可能为这些公司提供或者计划提供投资银行财务顾问或者其他金融产品等相关服务证券期货投资者适当性管理办法于2017年7月1日起正式实施本报告仅供中邮证券客户中的专业投资者使用若您非中邮证券客户中的专业投资者为控制投资风险请取消接收订阅或使用本报告中的任何信息本公司不会因接收人收到阅读或关注本报告中的内容而视其为专业投资者本报告版权归中邮证券所有未经书面许可任何机构或个人不得存在对本报告以任何形式进行翻版修改节选复制发布或对本报告进行改编汇编等侵犯知识产权的行为亦不得存在其他有损中邮证券商业性权益的任何情形如经中邮证券授权后引用发布需注明出处为中邮证券研究所且不得对本报告进行有悖原意的引用删节或修改中邮证券对于本申明具有最终解释权请务必阅读正文之后的免责条款部分20