核心观点
　　新洁能是国内MOSFET品类最齐全的设计公司，17-21年扣非归母净利润CAGR超55%。公司是国内最早同时拥有沟槽型、超结、屏蔽栅功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)及IGBT（绝缘栅双极型晶体管）四大产品平台的本土企业，整体产品型号超1600款，电压覆盖12V-1700V全系列，广泛应用于汽车电子、光伏和储能、数据中心、5G通讯、工业电源等十余个行业。2017-2021年公司营业收入年均复合增长率为31.6%；扣非归母净利润年均复合增长率为55.5%。
　　汽车智能化与电动化打开功率器件增长空间，公司汽车产品已大批量供货。结合Omdia与Yole数据，我们预计2020-2026年全球MOSFET市场将从74亿美元增至89亿美元，其中受益于汽车智能化、电动化，汽车MOSFET占比从25%增加至30%，对应市场空间将从18.3亿美金增至26.7亿美元(CAGR20-26=6.5%)。公司汽车电子产品已覆盖汽车客户的动力域、底盘域、智能信息域、车身控制域、驾驶辅助域等多个领域应用，目前已实现对比亚迪大量出货，并通过相关tier1厂商对小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等车企已实现批量供货。
　　光伏与储能渗透驱动IGBT需求增长，公司已供货80%以上的光伏头部企业。预计2021-2025年全球光伏与电化学储能新增装机量有望从约190GW提升至804GW以上。相应地，IGBT作为新能源发电逆变器的核心功率器件，25年全球光伏与电化学储能用IGBT市场空间有望达220亿元。目前公司已大量供应阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等80%以上的头部光伏逆变器企业，其IGBT器件产品已成为多个企业的国产一供，并在微型逆变器应用中持续放量，3Q22单季度公司光储占比已由1H22的18%提升至30%，汽车电子占比由1H22的13%提升至14%。
　　未来，IGBT模块及碳化硅等业务将成为公司新的增长点。公司IGBT业务成长迅速，占比由21年3.89%提升至1-3Q22的19%。在此基础上，公司募投项目布局功率模块产品、SiC/GaN器件及功率IC产品，并推出相关产品。同时对外投资了碳化硅衬底企业常州臻晶半导体。未来，随着光伏IGBT模块国产化、SiC/GaN器件加速渗透，公司有望实现随行业渗透多维度快速成长。
　　盈利预测与估值：我们看好公司中低压MOSFET的龙头地位、IGBT及SiC/GaN等产品的广泛布局，预计22-24年公司有望实现归母净利润4.68/6.10/7.94亿元（+14%/30%/30%），对应合理估值为87.5-96.5元，维持“买入”评级。
　　风险提示：新能源发电及汽车需求不及预期，新产品拓展不及预期等。

研究报告全文：证券研究报告2023年03月17日新洁能605111SH买入国内功率器件代表性设计厂商核心观点公司研究深度报告新洁能是国内MOSFET品类最齐全的设计公司17-21年扣非归母净利润CAGR电子半导体超55公司是国内最早同时拥有沟槽型超结屏蔽栅功率MOSFET金属-证券分析师胡剑证券分析师叶子氧化物-半导体场效应晶体管及IGBT绝缘栅双极型晶体管四大产品平台021-608933060755-81982153hujian1guosencomcnyezi3guosencomcn的本土企业整体产品型号超1600款电压覆盖12V-1700V全系列广泛S0980521080001S0980522100003应用于汽车电子光伏和储能数据中心5G通讯工业电源等十余个行业证券分析师胡慧证券分析师周靖翔2017-2021年公司营业收入年均复合增长率为316扣非归母净利润年均021-60871321021-60375402huhui2guosencomcnzhoujingxiangguosencomcn复合增长率为555S0980521080002S0980522100001汽车智能化与电动化打开功率器件增长空间公司汽车产品已大批量供货证券分析师李梓澎联系人詹浏洋0755-81981181010-88005307结合Omdia与Yole数据我们预计2020-2026年全球MOSFET市场将从74lizipengguosencomcnzhanliuyangguosencomcn亿美元增至89亿美元其中受益于汽车智能化电动化汽车MOSFET占比S0980522090001从25增加至30对应市场空间将从183亿美金增至267亿美元基础数据CAGR20-2665公司汽车电子产品已覆盖汽车客户的动力域底盘投资评级买入维持合理估值8750-9650元域智能信息域车身控制域驾驶辅助域等多个领域应用目前已实收盘价7588元总市值流通市值1616311758百万元现对比亚迪大量出货并通过相关tier1厂商对小鹏理想蔚来极52周最高价最低价198107420元氪上汽江淮五菱等车企已实现批量供货近3个月日均成交额35355百万元市场走势光伏与储能渗透驱动IGBT需求增长公司已供货80以上的光伏头部企业预计2021-2025年全球光伏与电化学储能新增装机量有望从约190GW提升至804GW以上相应地IGBT作为新能源发电逆变器的核心功率器件25年全球光伏与电化学储能用IGBT市场空间有望达220亿元目前公司已大量供应阳光电源固德威德业股份上能电气锦浪科技正泰电源等80以上的头部光伏逆变器企业其IGBT器件产品已成为多个企业的国产一供并在微型逆变器应用中持续放量3Q22单季度公司光储占比已由1H22的18提升至30汽车电子占比由1H22的13提升至14未来IGBT模块及碳化硅等业务将成为公司新的增长点公司IGBT业务成长迅速占比由21年389提升至1-3Q22的19在此基础上公司募投资料来源Wind国信证券经济研究所整理项目布局功率模块产品SiCGaN器件及功率IC产品并推出相关产品同相关研究报告时对外投资了碳化硅衬底企业常州臻晶半导体未来随着光伏IGBT模块功率半导体行业深度-新能源引发行业变革Fabless与IDM齐头并进2022-12-15国产化SiCGaN器件加速渗透公司有望实现随行业渗透多维度快速成长盈利预测与估值我们看好公司中低压MOSFET的龙头地位IGBT及SiCGaN等产品的广泛布局预计22-24年公司有望实现归母净利润468610794亿元143030对应合理估值为875-965元维持买入评级风险提示新能源发电及汽车需求不及预期新产品拓展不及预期等盈利预测和财务指标202020212022E2023E2024E营业收入百万元9551498183725173247-236569226371290净利润百万元139410468610794-4191945140302302每股收益元138290220286373EBITMargin155298266252259净资产收益率ROE120268141160179市盈率PE581276364279215EVEBITDA527253331251187市净率PB698740513447383资料来源Wind国信证券经济研究所预测注摊薄每股收益按最新总股本计算请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容证券研究报告内容目录新洁能国内MOSFET领先设计厂商5国内MOSFET领军设计企业5公司架构稳定核心成员深耕半导体多年6新能源带来行业变革功率器件大有可为7硅基MOSFET电能传输的主要器件7汽车智能化与电动化驱动MOSFET市场增长9光伏与储能加速渗透驱动功率器件市场快速增长13存量替代与增量渗透中国MOSFET厂商迎发展机遇15以MOSFET为起点功率器件多维拓展18公司是国内MOSFET料号最全的公司18公司经营稳健新能源业务持续拓展19未来IGBT与宽禁带半导体将打开公司多维成长空间21盈利预测23假设前提23未来3年业绩预测24盈利预测情景分析24估值与投资建议25投资建议26风险提示27财务预测与估值29请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容2证券研究报告图表目录图1公司发展历程5图2公司主要产品及应用领域5图3公司股权结构截至2022年三季报6图4MOSFET工作原理7图5功率器件的应用场景及价值量区间8图620-26年全球MOSFET器件市场按应用亿美元8图7MOSFET在汽车含传统汽车中的应用9图8MOSFET在汽车含传统汽车中的应用10图9Fail-OperationalEPS系统10图10超结MOSFET在OBCHV-LVDC-DC转换器中的应用11图1120-26年汽车MOSFET平均单车用量按应用个12图1220-26年全球汽车MOSFET市场按应用亿美元12图13充电桩中的半导体价值量美元12图142022-2025年全球及中国充电桩年增量万座年12图15公司汽车BMS应用示例蓝色部分13图16公司充电桩应用示例蓝色部分13图17IGBT在光伏储能中的应用及半导体价值量欧元13图1821-25年全球光伏及电化学储能装机量预测GW14图1921-25年中国光伏及电化学储能装机量预测GW14图2021-25年全球IGBT光伏电化学储能市场空间14图2121-25年中国IGBT光伏电化学储能市场空间14图22中国功率半导体代工与IDM的产能扩张与中短期格局15图23中国功率半导体发展的产品层次15图24我国MOSFET厂商份额逐步提升16图2520-26年中国MOSFET国产化率按器件结构16图2620-26年中国MOSFET国产化率按电压16图27公司产品布局18图28公司近五年营收扣非归母净利润亿元19图29公司近五年分产品营收结构19图30公司近五年毛利率和净利率情况19图31公司近五年研发费用及占比情况亿元19图32公司1H21与1H22产品结构对比按产品类型20图33公司1H22产品下游应用分布20图34公司客户分布20图3521-25年全球及中国IGBT市场空间亿元21图36公司IGBT业务收入及占比亿元21图37碳化硅应用优势及市场空间亿美元22请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容3证券研究报告图38可比公司2021-20223Q单季度毛利率情况25图39可比公司2018-2021H1扣非归母净利润情况亿元26图40可比公司2018-2021H1扣非净利率26表1公司主要高级管理人员情况6表2不同MOSFET结构的优势和应用7表3MOSFET可应用于不同功率段的汽车场景中11表421年我国MOSFET营收超亿元的公司情况17表6新洁能业务拆分23表7未来3年盈利预测表24表8情景分析乐观中性悲观24表9同类公司估值比较26请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容4证券研究报告新洁能国内MOSFET领先设计厂商国内MOSFET领军设计企业新洁能是国内MOSFETMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor金属-氧化物-半导体场效应晶体管品类最齐全且产品技术领先的设计公司公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品是国内率先掌握超结理论技术并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET屏蔽栅MOSFET量产的企业同时公司是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET超结功率MOSFET屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业图1公司发展历程资料来源公司公告国信证券经济研究所整理公司主要产品包括以IGBTInsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极型晶体管屏蔽栅MOSFETSGTMOSFET超结MOSFETSJMOSFET沟槽型MOSFETTrenchMOSFET四大工艺平台为基础的芯片及功率器件SiCMOSFETGaNHEMT功率模块及智能功率IC等新产品公司整体产品型号超1600款电压覆盖12V-1700V全系列广泛应用于汽车电子光伏和储能数据中心5G通讯工业电源机器人安防变频家电农用无人机医疗设备及锂电保护等行业图2公司主要产品及应用领域资料来源公司官网国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容5证券研究报告公司架构稳定核心成员深耕半导体多年公司股权结构稳定公司的第一大股东暨实际控制人是朱袁正先生截至2022年三季度持股比例21752021年11月公司公告拟采用向特定对象非公开发行的方式筹资并于2022年8月完成股权登记最终募集资金约14亿元资金将投向第三代半导体SiCGaN功率器件及封测的研发及产业化功率驱动IC及智能功率模块IPM的研发及产业化SiCIGBTMOSFET等功率集成模块含车规级的研发及产业化等方向公司子公司电基集成主要布局封测领域子公司金兰功率半导体主要致力于半导体功率模块的研发设计生产和销售子公司国硅集成专注于车规级智能功率集成电路芯片的设计21年11月公司公布股权激励计划拟向激励对象授予限制性股票14168万股考核目标为202120222023年公司营业收入总额分别不低于141618亿元21年公司实现营收1498亿元达到业绩考核目标22年10月公司以5977元股的价格授予包括高管人员核心技术人员骨干业务人员在内的10名激励对象1780万股限制性股票预计该激励计划对22-24年的会计成本影响为5249274079139万元图3公司股权结构截至2022年三季报资料来源公司公告国信证券经济研究所整理公司核心技术人员均有丰富的半导体从业经历朱袁正先生本科和硕士分别毕业于吉林大学半导体化学专业和新加坡国立大学ComputerandPowerEngineering专业曾任中国华晶电子集团公司助理工程师刻蚀工艺主管新加坡微电子研究院工程师德国西门子松下有限公司产品工程技术经理等职务表1公司主要高级管理人员情况姓名公司任职简介中国国籍无境外永久居留权硕士学历本科和硕士分别毕业于吉林大学半导体化学专业和新加坡国立大学ComputerandPowerEngineering专业曾任中国华晶电子集团公司助理工程师刻蚀工艺朱袁正公司董事长兼总经理主管新加坡微电子研究院工程师德国西门子松下有限公司产品工程技术经理无锡华润上华半导体有限公司研发副处长苏州硅能半导体科技有限公司董事总经理新洁能半导体董事董事长兼总经理电芯联智控董事长兼总经理中国国籍无境外永久居留权硕士学历曾任无锡华润上华半导体有限公司项目经理新洁能半导叶鹏公司董事兼副总经理体董事副总经理电芯联智控董事中国国籍无境外永久居留权硕士学历曾任无锡华润华晶微电子公司研发工程师中芯国际集成李宗清高压事业部总经理电路制造有限公司失效分析工程师新洁能半导体产品经理现任公司监事会主席兼技术部项目处长中国国籍无境外永久居留权本科学历曾任浙江绍兴华越微电子有限公司产品经理无锡华润上王根毅中低压事业部总经理华半导体有限公司产品经理无锡昕智隆电子科技有限公司研发经理资料来源公司公告国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容6证券研究报告新能源带来行业变革功率器件大有可为硅基MOSFET电能传输的主要器件MOSFET可通过控制电压实现电路的导通或关断最终对电流与电压实现调控是一个快速的电子开关以平面型MOSFET为例通过控制漏极和源极栅极与源极之间的电压可使得电子在器件中形成沟道实现器件的导通通过调节电压的大小可以控制导通电流大小最终通过开与关的切换配合其他元器件实现直流电与交流电电流频率电压高低等状态的切换因此降低器件电流传输过程中的损耗如导通电阻以提升电能的转换效率是MOSFET器件技术演进的主要驱动力图4MOSFET工作原理资料来源东芝半导体Lesics国信证券经济研究所整理由于下游应用对耐受电压开关频率导通电阻等器件性能要求不同MOSFET器件发展出了平面型沟槽型及超级结等不同结构平面型MOSFET结构由于芯片面积大耐压高且工艺简单可应用于对中小电流的场景而沟槽型MOSFET相比平面型MOSFET缩短了电流的导通路径消除了J-FET电阻在低压高电流的场景中被广泛应用在此基础上为进一步提升沟槽栅结构耐压能力与导通性能将电场强度均匀化且用低阻N层设计的超级结MOSFETSJ-MOS出现并广泛应用于中高压大电流的电源场景中表2不同MOSFET结构的优势和应用沟槽栅极MOS平面栅极MOSSJ-MOS耐受电压较好高达250V优异高达900V优异600V以上低导通电压优异一般优异高电流优异一般优异高速良好优异良好优异应用领域电池应用中小容量转换器中高容量转换器PCMNBPC充电器基站和服务器电源应用设备DCDC转换器车载电机LED照明中小型电视适配器中大型电视电源调节器资料来源东芝半导体国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容7证券研究报告以电为能量来源的下游应用均需用到功率器件一方面新能源应用增加电网光伏风电储能新能源汽车均需用到功率器件且集中于中高功率段器件以IGBTSiC器件及大功率晶闸管为主对器件可靠性与热管理要求较高另一方面工业自动化电机UPS数据中心等场景对用电效率提升的要求催生了中功率段功率器件如IGBT中高压MOSFET的应用对器件集成度可靠性及热管理均提出了要求此外在消费电子电源等低功率应用中硅基和GaN基功率器件均有应用该类应用对器件的紧凑性和集成度提出了较高要求图5功率器件的应用场景及价值量区间资料来源OmdiaYole国信证券经济研究所整理作为中低压电能转换的主要器件全球MOSFET器件市场26年将增至89亿美元结合Omdia与Yole数据我们预计2020-2026年全球MOSFET市场将从74亿美元增至89亿美元受益于汽车智能化电动化汽车应用占比从25增加至30在光伏储能等需求增量拉动下工业应用占比从14增加至17图620-26年全球MOSFET器件市场按应用亿美元资料来源YoleOmdia国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容8证券研究报告汽车智能化与电动化驱动MOSFET市场增长MOSFET为汽车电能传输的主要器件在传统燃油汽车中中低压MOSFET已广泛应用于车中电动功能的区域是传统汽车功率器件的主要部分单车用量约100个随汽车电动化开启电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源汽车能量流转换为电能实现电能转换的核心器件功率半导体含量大大增加其中中高压MOEFET开始广泛应用于汽车的DC-DCOBC等中压电动部分以协助完成电能的转换与传输单车平均用量提升至200个以上此外随着汽车智能化发展ADAS安全信息娱乐等功能均需使用MOSFET根据英飞凌数据未来中高端车型中MOSFET单车用量将有望增至400个图7MOSFET在汽车含传统汽车中的应用资料来源Yole英飞凌国信证券经济研究所整理MOSFET被广泛应用于汽车中涉及有刷无刷直流电机电源等零部件中随着汽车智能化电动化应用场景不断丰富智能化应用ADAS安全管理域控制系统泊车系统车身电子车身电源中控系统温度控制网关系统智能门锁照明系统底盘与安全悬挂系统电子辅助转向系统安全气囊驻车及防抱死制动系统信息娱乐系统显示控制音频仪表盘娱乐功能远程信息处理电动化应用传统汽车与新能源汽车不同传统燃油汽车发动机与变速箱管理内燃机辅助系统启停系统新能源汽车DC-DC电源车载充电器请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容9证券研究报告图8MOSFET在汽车含传统汽车中的应用资料来源Yole英飞凌国信证券经济研究所整理汽车智能化是未来中低压MOSFET器件的拓展方向随着汽车智能化发展ADAS安全信息娱乐等功能需MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字模拟等芯片完成功能实现以EPS系统为例随着对安全性要求的提升系统要求增加失效可操作Fail-Operational功能即增加一套冗余系统作为备用在发生罕见故障时EPS仍可保持工作相应地MOSFET用量由8个增加至22个图9Fail-OperationalEPS系统资料来源英飞凌国信证券经济研究所整理超结MOSFET是汽车电动化后的动力总成部分的新增器件类型主要应用于DC-DC电源与车载充电器OBC中在动力总成部分汽车电动化后以电制动的方式使得动力相关的电源如DC-DC车载充电器以及逆变器等功率提升需要适用于中高压大电流的超结MOSFETIGBTSiCMOSFET器件及模块完成电能的高效转换以华润微提供的汽车MOSFET应用参考为例在新能源汽车车载充电器部分需增加16个超结MOSFET请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容10证券研究报告表3MOSFET可应用于不同功率段的汽车场景中零部件功率段MOSFET平均单位用量应用拓扑规格要求天窗座椅车门0-80W5有刷电机油泵100-200W740V06-5毫欧水泵主辅100-450W7直流无刷电机随功率提升电压增加风扇400-500W7EPS600-800W11车载充电器33KW-11KW16CLLC650V44-99毫欧超级结资料来源华润微国信证券经济研究所整理新能源汽车OBCHV-LVDC-DC中650V以上超结MOSFET被大量选用在新能源汽车中车载充电器OBC主要利用交流电网提供的电能为高压动力蓄电池充电HVLVDC-DC电源转化器则是将汽车的高压区和低压区连接在一起根据汽车动力等级与电池大小不同OBCDC-DC电源的器件对应电压大致分为650V1200V650V器件以超结MOSFET为主以英飞凌方案为例在OBC方案中超结MOSFET用量可拓展至20个DC-DC中约需8个以上图10超结MOSFET在OBCHV-LVDC-DC转换器中的应用资料来源英飞凌国信证券经济研究所整理在汽车智能化与电动化驱动下26年汽车应用占全球MOSFET器件市场的30结合Omdia与Yole数据我们预计2020-2026年全球MOSFET市场将从74亿美元增至89亿美元受益于汽车智能化电动化汽车应用占比从25增加至30对应汽车MOSFET市场将从183亿美金增至267亿美元CAGR20-2665请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容11证券研究报告图1120-26年汽车MOSFET平均单车用量按应用个图1220-26年全球汽车MOSFET市场按应用亿美元资料来源英飞凌Omdia国信证券经济研究所整理资料来源Omdia国信证券经济研究所整理新能源汽车渗透拉动充电桩需求预计22-25年全球充电桩年需求量将以33复合增速加速渗透超结MOSFET需求量大幅增加根据英飞凌数据50kW充电桩对应半导体价值量为100美元其中PFCDC-DCAUX等部分均需要用到高压超结MOS根据中国充电联盟数据22年1-11月我国车桩比为261我们预计到2027年车桩比有望达到21随着全球新能源汽车加速渗透我们预计22-25年全球充电桩年增量将由410万座年增至1094万座年我国充电桩年增量将由250万座年增至580万座年图13充电桩中的半导体价值量美元图142022-2025年全球及中国充电桩年增量万座年资料来源英飞凌国信证券经济研究所整理资料来源中汽协中国充电联盟国信证券经济研究所测算公司已开发出包括驱动IC中低压MOSFET高压超结以及IGBT在内可匹配汽车及充电桩应用的产品例如在电池管理系统BMS中需要控制充放电回路在适当的条件下工作并且在锂电池失控时及时切断电池通路保证电池的安全性公司的SuperTrenchMOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性适用于BMS等高温严酷环境请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容12证券研究报告图15公司汽车BMS应用示例蓝色部分图16公司充电桩应用示例蓝色部分资料来源公司官网国信证券经济研究所整理资料来源公司官网国信证券经济研究所整理光伏与储能加速渗透驱动功率器件市场快速增长光伏与储能应用带来功率器件需求单MW功率半导体价值量超2000欧元随光伏及储能等新型直流装备将接入配电网配电网的整体架构随之发生变化直流设备接入交流电网再以直流或交流的形式分配于储能设备中每次电能变换均需用到功率器件根据英飞凌数据光伏与储能配电装置中单位MW的功率器件价值量约为2000-5000和2500-3500欧元其中IGBT单管为中功率段主要器件IGBT模块则适用于高功率段应用图17IGBT在光伏储能中的应用及半导体价值量欧元资料来源英飞凌国信证券经济研究所整理预计2021-2025年全球光伏与电化学储能新增装机量有望从约190GW提升至804GW以上根据CPIACNESA及Trendforce数据21-25年全球光伏新增装机数量从155GW增长至550GW电化学储能新增装机量将从55GW增加至254GW左右21-25年中国光伏与电化学储能新增装机量从64GW增长至304GW其中光伏新增装机数量从55GW增长至255GW电化学储能新增装机量将从95GW增加至49GW左右MOSFETIGBT等功率器件作为逆变器与变流器的核心半导体器件将随下游装机量增加同步渗透请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容13证券研究报告图1821-25年全球光伏及电化学储能装机量预测GW图1921-25年中国光伏及电化学储能装机量预测GW资料来源CPIATrendforce国信证券经济研究所整理资料来源CPIACNESA国信证券经济研究所整理IGBT作为新能源发电逆变器的核心器件预计25年全球光伏与电化学储能用IGBT市场有望达220亿元结合Omdia及英飞凌数据我们测算21-25年全球光伏用IGBT市场规模将由49亿元增长至169亿元电化学储能用IGBT市场规模将由7亿元增长至51亿元21-25年我国光伏与电化学储能用IGBT市场将由29亿元增长至103亿元其中光伏用IGBT市场规模将由1744亿元增长至786亿元电化学储能用IGBT市场规模将由11亿元增长至24亿元图2021-25年全球IGBT光伏电化学储能市场空间图2121-25年中国IGBT光伏电化学储能市场空间资料来源CPIA英飞凌国信证券经济研究所测算资料来源CPIA英飞凌国信证券经济研究所测算公司目前在光储IGBT上已成为国产头部供应商目前公司已经大量供应国内阳光电源固德威德业股份上能电气锦浪科技正泰电源等80以上的头部光伏企业公司3Q22单季度光储应用占比已提升至30汽车电子占比提升至14预计4Q22仍然保持高速增长请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容14证券研究报告存量替代与增量渗透中国MOSFET厂商迎发展机遇我国功率半导体仍处于单品替代阶段代工平台工艺仍领先中短期设计公司受益我国功率半导体发展仍处于早期阶段IGBT超结MOS等中高端器件国产化率仍较低处单品替代阶段20年下半年行业缺货新能源加速渗透以及国际环境变化等多因素催化下汽车光伏等新能源应用为国产功率厂商提供验证机会国产化率提升迅速而工控光伏模块等存量或高技术门槛领域国产化率仍较低IDM多品类规模化优势仍不明显此外由于我国特色工艺代工平台如华虹等技术积累深厚国内IDM厂商工艺仍处于追赶阶段技术迭代优势需在更长的时间维度内才能体现我们预计21-25年我国特色工艺代工产能增速将高于IDM的产能增速中短期头部设计公司受益图22中国功率半导体代工与IDM的产能扩张与中短期格局资料来源各公司公告及招股说明书国信证券经济研究所整理我国的功率半导体以低门槛细分应用为起点逐步向技术实现较难的应用领域发展并随新能源头部厂商出海逐步走向国际化随着各公司技术边界的拓宽产品形式逐步从单品替代阶段向解决方案发展在行业缺货叠加新能源领域渗透加速的催化下从部分低价值量且技术门槛较低的消费家电及低端工控如焊机等领域逐步向验证壁垒较高的高端工控光伏及新能源汽车高端模块等领域进行突破此外在供应链环境多变的背景下国内下游应用厂商国产化意愿增强光伏储能及新能源汽车等新兴领域国产化率大幅提升图23中国功率半导体发展的产品层次资料来源国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容15证券研究报告我国MOSFET器件已有基础汽车缺芯加速车规级MOSFET国产替代公司21年国内市占率近5一方面全球MOSFET器件厂商前十名中我国厂商占比从18年38提升至20年10已有良好的产业基础另一方面瑞萨为代表的大厂逐步退出中低压MOSFET部分市场20年后疫情带来汽车芯片供需错配我国新能源汽车加速发展汽车功率器件供应缺口拉大在供给优化与需求增加的双重驱动下国产车规级功率器件厂商开始加速进入汽车供应链图24我国MOSFET厂商份额逐步提升资料来源英飞凌芯谋研究国信证券经济研究所整理超级结与高压端MOSFET国产化率较低国产替代仍有较大空间根据芯谋研究数据21年中国MOSFET市场国产化率达到305然而超级结国产化率仅181高压及超高压国产化率均小于30超级结MOSFET及高压MOS作为汽车MOSFET的主要增量市场仍为国内厂商未来发力的重要方向图2520-26年中国MOSFET国产化率按器件结构图2620-26年中国MOSFET国产化率按电压资料来源芯谋研究国信证券经济研究所整理资料来源芯谋研究国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容16证券研究报告我国MOSFET厂商大部分已推出超结中高压MOSFET产品公司市场份额持续提升中目前士兰微华润微扬杰科技为代表的IDM公司已覆盖高压超级结产品并逐步扩大产品占有率士兰微已完成12英寸高压超结MOS工艺平台开发华润微1H22高压超结产品收入超亿元扬杰科技1H22汽车MOS订单实现大幅增长在设计公司端东微半导新洁能为代表的MOSFET厂商发展迅速表421年我国MOSFET营收超亿元的公司情况模式公司MOSFET结构类型产品电压400V中低压400-800V高压800V超高压安世半导体平面型沟糟型为主中低压为主华润微平面型沟槽型超結中低压高压超高压均覆盖士兰微平面型沟槽型超結中低压高压超高压均覆盖华微电子平面型沟槽型为主中低压高压超高压均覆盖IDM捷捷微电平面型沟槽型超結中低压高压超高压均覆盖扬杰科技平面型沟槽型为主中低压高压为主乐山无线电非上市公司平面型和沟槽型为主超结中低压为主深圳深爱半导体非上市公司平而型为主已有超结中低压髙压为主立昂微平而型沟糟型为主中低压高压为主新洁能沟槽型超结为主中低压高压超高压均覆盖东微半导沟槽型超结为主中低压高压超高压均覆盖苏州锴威特IPO平面型为主已有沟槽型和超结中低压高压超高压均覆盖长晶科技非上市公司平面型沟槽型为主中低压高压为主锐骏半导体非上市公司沟槽型超结型为主中低压高压超高压均覆盖西安芯派电子非上市公司沟槽型超结型为主中低压高压为主Fabless上海恒泰柯非上市公司平面型沟槽型超結中低压高压为主龙腾半导体非上市公司平面型沟槽型超結中低压高压为主张家港凯思半导体非上市公司沟槽型为主中低压为主深圳尚阳通科技非上市公司沟槽型超結型为主中低压高压为主韦尔半导体沟槽型超結型为主中低压高压为主斯达半导平面型为主已有沟槽型中低压为主备注产品结构与电压分布仅参考各公司官网及相关公告实际情况随各公司生产经营动态发展中资料来源芯谋研究国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容17证券研究报告以MOSFET为起点功率器件多维拓展公司是国内MOSFET料号最全的公司公司是国内率先掌握超结理论技术并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业也是国内MOSFET品类齐全且产品技术先进的公司公司产品型号超1600款电压覆盖12V-1700V全系列应用覆盖汽车电子光伏和储能数据中心5G通讯工业电源机器人安防变频家电农用无人机医疗设备及锂电保护等十余个行业图27公司产品布局资料来源公司官网及公告国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容18证券研究报告公司经营稳健新能源业务持续拓展公司近5年业绩保持高速增长扣非归母净利润复合增速为5552017-2021年公司营业收入年均复合增长率316扣非归母净利润年均复合增长率555图28公司近五年营收扣非归母净利润亿元图29公司近五年分产品营收结构资料来源Wind国信证券经济研究所整理资料来源Wind公司公告国信证券经济研究所整理公司毛利率及净利率加速提升研发投入不断增加随着新能源汽车及发电产品向高附加值的方向渗透2017年以来公司毛利率整体呈上升态势从17年的2470提升至1-3Q22的38此外公司持续加大研发投入近5年研发费用持续增加图30公司近五年毛利率和净利率情况图31公司近五年研发费用及占比情况亿元资料来源Wind国信证券经济研究所整理资料来源Wind国信证券经济研究所整理产品与应用结构不断优化拓宽公司成长空间公司IGBTSGTMOS超级结MOS等新能源需求旺盛的品类比例逐年提升其中IGBT在光伏储能驱动下1H22销售收入同比增长37123占比从1H21的389提升到1H22的1457SGT-MOSFET为替代国际一流厂商料号最多的产品且较多料号进入新能源汽车领域销售占比从1H21的3966提升到1H22的4189SJ-MOSFET在数据中心汽车OBC充电桩及微型逆变器等应用驱动下1H22销售收入同比增长6616占比从1H21的872提升至1H22的1152请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容19证券研究报告图32公司1H21与1H22产品结构对比按产品类型图33公司1H22产品下游应用分布资料来源公司公告国信证券经济研究所整理资料来源公司公告国信证券经济研究所整理新能源客户加速拓展汽车与光储占比大幅提升截至1H22在汽车电子方面公司对比亚迪小鹏理想蔚来极氪上汽江淮五菱等车企批量供货产品应用于主驱电控OBC动力电池管理刹车ABS智能驾驶系统等核心领域光储方面公司已经大量供应国内阳光电源固德威德业股份上能电气锦浪科技正泰电源等80以上的头部光伏企业公司3Q22单季度光储应用占比已提升至30汽车电子占比提升至14预计4Q22仍然保持高速增长图34公司客户分布资料来源公司官网及公告国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容20