投资要点
　　深耕MOSFET十余年，延伸布局IGBT和第三代半导体器件。公司产品包括高压超级结/中低压屏蔽栅/超级硅MOSFET及TGBT，覆盖0~1350V电压及0~300A电流；下游应用聚焦在工业级和消费级领域，2016年自研的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片量产，打破国际垄断；同时公司积累了全球知名的品牌客户群如英飞源、客户A、高斯宝及视源股份等。
　　具备从专利到量产的完整经验，高性能功率半导体设计的技术不可替代性极强。公司的高压超级结MOSFET相比普通硅基MOSFET在性能及电压等方面技术优势明显；较普通沟槽栅VDMOSFET器件，公司的中低压屏蔽栅MOSFET的导通特性与开关损耗等更优。
　　根据Omdia预测，2024E全球功率半导体522亿美元市场空间，充电桩、5G基站及新能源汽车赋能需求。功率半导体仍被国际巨头垄断，CR5达43%，但中国功率半导体市场稳步增长，国产替代需求助推国内厂商发展；根据前瞻产业研究院与EVTank预测，2024E中国充电桩保有量、新建5G基站数量及新能源汽车销量或达967万台/80万站/405万辆，广阔的应用市场空间持续驱动MOSFET及IGBT等功率半导体的需求。
　　盈利预测：我们预计公司2022-2024年营业收入11.3/16.1/21.8亿元，归母净利润2.8/4.0/4.9亿元，首次覆盖，给予“推荐”评级。
　　风险提示：（1）上游原材料及零部件供应短缺风险；（2）下游需求不及预期风险；（3）产品研发及产业化应用不及预期风险；（4）各项业务营收增速不及预期风险。
　　

研究报告全文：证券研究报告电子行业2022年12月16日方正电子公司深度报告东微半导688261SH结构创新缔造汽车工控领域功率之芯分析师吴文吉登记编号S1220521120003东微半导业务版图具备从专利到量产完整经验的高性能功率半导体公司MOSFETIGBT第三GreenMOS系列代半高压超级结导体标准通用系列-高性能通用型TGBTMOSFETS系列-EMI优化器件业业E系列-EMI性能平衡务务自研1150款Z系列-集成快恢复二极管FRD占占SiC产品型号含超级硅超级硅系列-开关速度优化Hybrid比比-FETMOSFET约中低压屏蔽栅SFGMOS系列约99MOSFET低Vth系列1自研自研710款高Vth系列98款产品型号FSMOS系列产品超级硅MOSFET型号工业应用消费电子汽车储能和光伏逆变器5G基站电源及通信电源TV电源板适配器新能源汽车直流充电桩UPS电源和工业照明电源数据中心服务器电源PC电源手机快速充电器车载充电器资料来源Wind公司年报公司官网方正证券研究所整理2投资要点深耕MOSFET十余年延伸布局IGBT和第三代半导体器件公司产品包括高压超级结中低压屏蔽栅超级硅MOSFET及TGBT覆盖01350V电压及0300A电流下游应用聚焦在工业级和消费级领域2016年自研的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片量产打破国际垄断同时公司积累了全球知名的品牌客户群如英飞源客户A高斯宝及视源股份等具备从专利到量产的完整经验高性能功率半导体设计的技术不可替代性极强公司的高压超级结MOSFET相比普通硅基MOSFET在性能及电压等方面技术优势明显较普通沟槽栅VDMOSFET器件公司的中低压屏蔽栅MOSFET的导通特性与开关损耗等更优根据Omdia预测2024E全球功率半导体522亿美元市场空间充电桩5G基站及新能源汽车赋能需求功率半导体仍被国际巨头垄断CR5达43但中国功率半导体市场稳步增长国产替代需求助推国内厂商发展根据前瞻产业研究院与EVTank预测2024E中国充电桩保有量新建5G基站数量及新能源汽车销量或达967万台80万站405万辆广阔的应用市场空间持续驱动MOSFET及IGBT等功率半导体的需求盈利预测我们预计公司2022-2024年营业盈利预测收入113161218亿元归母净利润单位百万20212022E2023E2024E营业总收入782113016092178284049亿元首次覆盖给予推荐-15328444642373539评级归母净利润147276399493风险提示1上游原材料及零部件供应短-43066879444592358缺风险2下游需求不及预期风险3EPS元291410592732ROE259696912291319产品研发及产业化应用不及预期风险4PE000543737603043各项业务营收增速不及预期风险PB000527462401资料来源Wind公司招股说明书英飞凌年报Omdia前瞻产业研究院EVTank方正证券研究所整理3目录1公司介绍具备从专利到量产高性能功率器件的完整经验2行业情况2024E全球功率半导体522亿美元市场空间3盈利预测公司发展历程技术驱动型的功率半导体公司技术驱动型的半导体技术公司东微半导体成立于2008年采用Fabless的经营模式专注功率半导体技术创新拥有多项半导体器件核心专利坚持打破国外厂商的垄断2016年东微半导自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产打破国外厂商垄断目前是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步产品进入多个国际一线客户图表公司发展历程推出Super-Silicon推出SFGMOSFET东微半导体登陆超级硅系列进入手中低压屏蔽栅GreenMoS系列总科创版MOSFET系列体市场占有率快速机快速充电器市场GreenMos首次进提升东微成立入工业级应用2014年2016年2017年2019年2022年2008年2015年2018年2020年GreenMos系列推出GreenMOS高推出FSMOS中低压屏蔽栅进入充电桩应用压超级结MOSFET系MOSFET系列SFGMOS迅速起推出Tri-gate列GreenMos推出新一代产品量IGBT系列SFGMOS系列进入电动车驱动资料来源公司招股说明书公司年报公司官网方正证券研究所整理5股权架构实控人股权集中实控人股权集中股权激励绑定人才红利截至2022年2月9日公司联合创始人王鹏飞博士和龚轶直接或间接控制及通过一致行动安排合计共同控制了公司4351股份系本公司的实际控制人公司在2018年2019年对部分核心员工实施了三次股权激励公司部分核心员工通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司332211权益图表股权结构图国家集中芯上海上海成电路晶元荣芯肇芯45093163226068苏州工中新苏中小企上海聚哈勃科高维企银河王鹏飞业园原龚轶州工业业发展卢万松源聚芯技业管理创新点创业园创业基金12071139996746534494373354332276100东微半导100广州动能半导资料来源Wind公司招股说明书公司年报方正证券研究所整理6财务分析产品出货量持续提升近三年公司营业收入年均复合增长率达7230公司主营产品广泛应用于新能源汽车充电桩通信电源光伏逆变器新能源车车载充电机数据中心服务器电源快速充电器等领域公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域需求增长产能持续扩大新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响2021年收入达782亿元同比增长15328扣非归母净利润达到141亿元同比增长588672022年上半年公司营收同比增长主要产品出货量持续增长2021年高压超结MOSFET出货量达188亿颗三年复合增长率为57中低压屏蔽栅MOSFET出货量为099亿颗三年复合增长114图表东微半导营业收入及增速单位亿元图表东微半导主要产品销量单位亿颗92001887828180160714061201055466099100430908006331960600492153141111040024101001301900802020000020182019202020212022H12018201920202021营业总收入扣非归属母净利润高压超级结MOSFET中低压屏蔽栅MOSFET资料来源Wind公司招股说明书公司年报方正证券研究所整理7财务分析高压超级结MOS和屏蔽栅MOS占据收入主导近三年营收增长率分别为2822575115328公司主要产品分为高压超级结MOSFET中低压屏蔽栅MOSFET超级硅MOSFETTGBT四大类其中前两者为公司的主要产品二者合计占比超过98超级硅MOSFET和TGBT处于初期阶段收入占比较低但是增长趋势良好公司产品的终端应用聚焦在工业级领域和消费级领域车规级和工业级应用领域以新能源汽车直流充电桩5G基站电源及通信电源数据中心服务器电源和工业照明电源为主消费电子应用领域以PC电源适配器TV电源板手机快速充电器为代表图表东微半导营业收入拆分单位百万元图表东微半导主要产品应用领域800568215车规级工业级消费电子7002066005G基站电源PC电源500通信电源光伏储能400040新能源汽车直30059569适配器流充电桩2003928100249125157数据中心服0务器电源TV电源板2018201920202021高压超级结MOSFET中低压屏蔽栅MOSFET工业照明电源手机快速充电器超级硅MOSFETTGBT资料来源Wind公司年报公司招股说明书方正证券研究所整理8财务分析毛利率逐渐恢复积极优化产品结构及技术迭代毛利率2019年触底后持续提升近四年公司主营业务毛利率分别为26381493和1785和28722021年公司销售毛利率较2020年提升1087主要系受下游应用领域需求增长产能持续扩大新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素所致图表主营业务毛利率拆分图表可比公司毛利率情况3542322937302728292625322527202018161818221515171711101220182019202020212018201920202021总毛利率高压超级结MOSFET新洁能华微电子华润微扬杰科技中低压屏蔽栅MOSFET超级硅MOSFET士兰微平均值东微半导资料来源Wind公司年报公司招股说明书方正证券研究所整理9应用领域应用领域广泛公司实现大规模销售的主要产品为MOSFET功率器件包括高压超级结MOSFET及中低压屏蔽栅MOSFET等同时公司已开发了超级硅MOSFET及TGBT等先进功率器件产品也已处于量产阶段产品的电压范围01350V电流从0A300A应用场景跨度较大图表公司产品的主要应用场景SFGMOSGreenMOS超级硅TGBTHybrid-FET直流充电桩及变频及电机驱动专用机器人车载充电机电机驱动数据中心及通讯家电功率电源工具电机驱动光伏及储能工业电源大屏幕显示电源工业及植物照明及高性能同步整流各种高密度电源205025050065090012006500V资料来源公司招股说明书公司年报方正证券研究所整理10高压超级结MOSFET相比普通硅基MOSFET技术优势明显超级结产品相比普通硅基MOSFET具有显著优势公司产品GreenMOS产品系列性能先进超级结MOSFET产品通常需要更高的技术设计能力及工艺制造水平能够突破平面型器件的性能局限性具备更好的静态和动态特性可以工作于更大功率的系统之中公司产品主要为GreenMOS产品系列是该领域规格较完整的国内厂商之一图表高压超级结MOSFET特点图表GreenMOS产品系列截至2022年6月30日特点优点系列特点基本介绍需要更高的技术低导通电阻低栅极电荷静态和动标准通用高性能通设计能力及工艺开关速度快态损耗低的特点各种开关电源系统系列用型制造水平突破超级结型的高性能功率转换领域平面型器件的性动态损耗低可靠性高能局限性以较低的开关速度达到更好的EMI兼容性适用于对EMI要求较高的电源系S系列EMI优化统如LED照明充电器适配器以及趋势大电流的电源系统中节能减碳实现了开关速度和EMI之间平衡适用EMI性能平E系列于TV电源工业电源等领域开关速推动衡度介于标准通用系列和S系列之间超级结型小型化高压超级结型电源系统MOSFET高效化快速的反向恢复速度以及极低的开关损耗适用于各种半桥拓扑电路全平面型Z系列FRD电压400V提升降低桥拓扑电路马达驱动充电桩等领开关速度损耗域资料来源公司招股说明书方正证券研究所整理11高压超级结MOSFET产品开发顺利广泛拓展下游客户产品技术领域相关进展持续拓展基于公司第三代高压超级结MOSFET技术平台的产品规格单晶圆产出芯片颗数第三代GreenMOS提高同时产品性能得到进一步提升第三代高压超级结MOSFET实现了大规模出货公司第四代高压超级结MOSFET实现批量出货公司启动第五代超级结MOSFET技术研第四代GreenMOS发目前进展顺利产品深沟槽超级结技术的中低技术开发顺利进行进展压超级结MOS1000V以上高压超级结工程开发成功具备量产能力MOSFET技术12英寸先进工艺制程的大规模稳定量产产品进入大量工业应用领域基于12英寸制程的下一代超级结高压超级相关领域MOSFETMOSFET技术开发顺利进行客户名称与国内各主要的直流充电桩电源模块厂商建立了广泛深入的合作关系持续批量出货客户新能源汽车直流充电桩包括英可瑞英飞源特锐德永联科技盛弘股份优优绿能等批量出货给比亚迪英搏尔铁城科技英威腾等车载充电机设计制造领先企业终端客新能源汽车车载充电机户涉及多个国内主要的新能源汽车品牌对客户A多个主要通讯电源产品线的供应快速增加对维谛技术持续批量出货并且持续增通讯电源和基站电源加新的规格设计进入其全球技术平台对动力源深圳雷能麦格米特高斯宝电气等业务客户多个规格批量出货进展工业照明批量出货给通用电气明纬电子崧盛股份茂硕电源批量出货给客户A昱能科技禾迈股份等并且持续增加规格设计批量出货给洛仑兹光伏逆变储能应用宁德时代图为电气等送测认证光伏相关应用客户爱士惟古瑞瓦特锦浪科技等数据中心服务器电源出货维谛技术中国长城高斯宝电气深圳雷能麦格米特等进入了OPPO安克电子等继续批量出货航嘉Huntkey天宝电子奥海科技台和电各类适配器电源相关应用子欧陆通等并持续增加设计新的规格资料来源公司年报方正证券研究所整理12中低压屏蔽栅MOSFET优于普通沟槽栅VDMOS器件中低压屏蔽栅MOSFET优于普通沟槽栅VDMOS器件屏蔽栅MOSFET功率器件能够突破普通沟槽栅VDMOS器件的性能瓶颈具备更好的导通特性开关损耗更小且功率密度更高公司产品品类完善性能优越SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列截至2022年6月30日合计超过700种型号图表中低压屏蔽栅MOSFET特点图表公司中低压MOSFET功率器件各系列产品系列特点基本介绍结构更复杂需优点主要应用于驱动电压较低的同要更高的技术能高开关速度步整流类电源系统如5V-20V更好的导通特低Vth低开关损耗力及制造工艺水输出快速充电器大功率LED系列高可靠性和一平能够突破普超级结型性显示屏电源服务器电源DC-致性型DC模块等领域通沟槽栅开关且功率密VDMOS器件的SFGM损耗更小度更高OS系性能瓶颈列抗干扰能力强低导通电阻主要应用于驱动电压在10V以高Vth高开关速度上的电源系统如电源同步整系列低开关损耗流电机驱动锂电保护逆高可靠性和一变器等领域致性屏蔽栅MOSFET中低压MOSFET高电流密度主要应用于对功率密度有更高FSMOS系列低功耗高可要求的快速充电器电机驱动沟槽栅VDMOS靠性DC-DC模块开关电源等领域电压10V-300V资料来源公司年报公司招股说明书方正证券研究所整理13中低压屏蔽栅MOSFET新一代技术已经完成研发相关研究进展顺利新一代高密度屏蔽栅MOSFET已经量产目前分别应用于电动工具家电领域进入海尔美的伊莱克斯等巨头的产品中晶圆方面的客户为东科半导体长晶科技芯朋微电子无锡硅动力扬杰电子图表中低压屏蔽栅MOSFET相关进展产品技术领域相关进展25V-30V低压超高速屏开发成功并开始量产公司数据中心电源专用中低压屏蔽栅MOSFET产品蔽栅MOSFETSGT技术开发顺利进行MOSFET产150V屏蔽栅MOSFET开发成功并开始量产品SGTMOSFET进12英寸先进工艺制程的展拓展该产品平台形成了多个电压平台的规格并实现量产屏蔽栅MOSFET公司新一代高密度屏蔽开发成功开始批量生产栅MOSFET公司产品批量进入宝时得创科集团喜利得等国内外主要的电动工具厂电动工具领域业商务家电应用相关领域中低压屏蔽栅MOSFET已批量进入海尔集团美的集团伊莱克斯等进展中低压屏蔽栅MOSFET客户为东科半导体长晶科技芯朋微电子无锡硅动力扬杰电子等晶圆资料来源公司年报方正证券研究所整理14超级硅MOSFET和TGBT销量大幅增速超级硅MOSFET和TGBT都是公司最新产品销量大幅增长2021年公司超级硅MOSFET的销量为727万颗同比增长41306TBGT的销量为7243万颗公司超级硅MOSFET和TGBT具有明显技术优势超级硅MOSFET性能对标氮化镓功率器件产品采用硅基材料具有工艺成熟度高工艺成本低及高可靠性等技术特点及竞争优势公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构不提高制造难度的前提下提升了功率密度优化了内部载流子分布调整了电场与电荷的分布同时优化了导通损耗与开关损耗具有高功率密度开关损耗低可靠性高自保护等特点图表超级硅MOSFET和TGBT销量万颗图表超级硅MOSFET和TGBT销量特点807243420功率器件种类特点72770410性能对标氮化镓功率器件产品相较于氮化镓功率器件413产品公司的超级硅MOSFET产品采用硅基材料具有400超级硅MOSFET60工艺成熟度高工艺成本低及高可靠性等技术特点及竞390争优势50380低导通压降系降低至15V及以下40370列360高速系列开关频率可达100kHz30357不提高制造难度的前提下超低导通压降提升了功率密度优化内35012V以下20系列部载流子分布电场与电1417TGB340荷的分布导通损耗与开T软恢复二极管适用于变频电路及逆变电10关损耗具有高功率密度31330系列路开关损耗低可靠性高0320芯片内部集成续流二极管自保护等特点650V及201920202021实了低导通压降与快速开1350V的逆关特点适合在高压谐振TGBT导系列超级结MOS超级结MOSYOY电路中使用资料来源公司年报公司招股说明书方正证券研究所整理15超级硅MOSFET和TGBT22年上半年TBGT销售额增长70倍产品技术领域相关进展产品进展第二代超级硅功率MOSFET器件开发成功超级批量进入中车株洲电力机车研究所有限公司航嘉驰源易米通科技广州视硅源富安电子硕通电子等客户M业务进展650V1200V及1350V新一代IGBT器件技术TGBT研发成功并实现量产出OS货第一代650VTGBT芯片的电流密度为400Acm2达到国际主流第七代IGBT技术水平TGBT技术的高速大电流功率器件600650VHybrid-FET开发成功产品进展12英寸的先进制造工艺IGBT及8英寸IGBT新产能扩充等多个项目的顺利开展TGBT产品各领域代表性的批量使用客户包括爱士惟光伏逆变汇川技术TG工业电源拓邦股份储能视源股份光伏逆变UPS优优绿能充电桩模块等BT2022年上半年TGBT产品销售额迅速增长达到171046万元同比增长高业务进展达70倍以上E系列高速TGBT被批量应用于60kHz频率的电源系统实现在高速IGBT领域的国产替代分车载电子客户已经使用公司开发的并联SiC二极管的高速系列TGBT产品实现对SiCMOSFET的替代资料来源公司年报方正证券研究所整理16目录1公司介绍具备从专利到量产高性能功率器件的完整经验2行业情况2024E全球功率半导体522亿美元市场空间3盈利预测功率半导体行业概览2020年公司产品部分应用领域全球功率半导体厂商功率二极管431亿美元车规级应用晶闸管功率MOSFETIGBT传统燃油车新能源汽车全球功率半导体规模成本21占比555G基站功率功率分立器件中国功率半导体厂商半导体功率ICCAGR49功率器件应用占比132024年充电桩55522亿32美元功率IC功率分立器件功率分立模组资料来源华经产业研究院公司招股说明书Omdia方正证券研究所整理18功率半导体中国市场稳步增长国产厂商增长潜力巨大功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件图表功率半导体分类和公司业务范围橘红色部分两大类其中功率分立器件主要包括功率二极管晶闸管高压晶体管MOSFETIGBT功率二极管VDMOS等产品功晶闸管中国是全球最大的功率半导体消费国2019屏蔽栅MOSFET年市场规模达到177亿美元Omdia预计率功率分立器件功率MOSFET2024年中国功率半导体市场规模达到206亿半超级结MOSFET美元2019-2024年的CAGR达31导功率ICIGBT国际巨头垄断市场英飞凌安森美意法其他体其他半导体等前五大国际厂商市场份额达43图表中国功率半导体的市场规模亿美元图表2020年全球功率半导体分立器件份额210CAGR2068316200619861914197英飞凌1904183183442安森美180177173172083170意法半导体-2569-3-3160-455三菱150-6东芝201720182019202020212022202320245046占全球市场比例高达YOY其他38是最大全球的市场中国功率半导体资料来源英飞凌年报公司招股说明书Omdia方正证券研究所整理19MOSFET新技术浪潮到来有望打破国际厂商垄断图表2020年全球MOSFET市场份额功率MOSFET性能提升主要包括三个方面在制造工艺上线宽制程从10微米缩减至015-035微米在器件结构改进方面英飞凌功率器件经历了平面Planar沟槽244安森美Trench超级结SuperJunction等意法半导体器件结构的变化进一步提高了器件的功416东芝率密度和工作频率在材料方面新兴的124第三代半导体进一步提升了器件的开关特瑞萨其他性降低了功耗也改善了其高温特性8851前五大国际巨头垄断市场CR5为5877图表功率MOSFET的技术发展情况和演变趋势三大趋势三大措施代替代替技工艺和结构改进术工艺进步导致的变化屏蔽栅沟槽部分平需要驱引领MOSMOS面MOS动第三代半导体材提器件结构改进料替代趋势高压领域升代替性超级结VDMOS能使用宽禁带材料集成化趋势MOS资料来源英飞凌年报公司招股说明书方正证券研究所整理20