2012年以来，公司内生+外延战略进一步发挥效应，先后并购武汉电信器件、丹麦IPX、投资大连藏龙和法国阿尔玛伊，加速高端技术突破和产品线协同。2016年公司在国内率先实现10G APD 自有芯片量产、25G PD 商用、10G EML芯片完成商用认证、硅光Micro-ICR&调制器进入可靠性评估等项目突破。在技术和市场双轮驱动下，2015 年以来公司收入利润增长进一步加快，发展正步入快车道。
    工信部发布光器件线路图，紧随国家战略引领“芯”突破。近日工信部发布《中国光电子器件技术发展路线图（2018-2022 年）》，明确提出光电子器件产业作为光电子技术的基础和核心，正迎来重大发展机遇期。《路线图》提出确保2022 年中低端光电子芯片的国产化率超过60%、高端光电子芯片国产化率突破20%，并逐步解决核心芯片、高速器件过度依赖进口的问题。2017年11 月，光迅科技牵头组建的“国家信息光电子创新中心”正式获得工信部批复，规划到2020 年解决25G 速率及以下光电子芯片技术和国内厂家在核心芯片及器件市场占有率不低于30%的目标。我们认为，本次中心的成立进一步凸显了公司作为国内光电子产业龙头的地位，光迅科技将肩负国内光电子核心技术突破和产业升级的重任。
    芯片自产+规模效应凸显，公司业绩有望快速增长。光电芯片作为光模块的核心，成本占比一般超过光模块整体成本50%。目前我国高端芯片（25G 及以上）严重依赖进口，“空芯化”问题凸显。而高额的研发投入（全球龙头Finisar研发收入比基本在15%以上）也要求企业不断提升收入规模并保障盈利能力，实现技术/市场共赢。在国内光传输网投入持续提升、数据中心/消费新市场快速放量背景下，光迅科技收入规模正稳步增长。而光电子创新中心成立也有望加速公司技术突破并有效降低研发成本，我们认为公司业绩有望保持长期快速增长。
    维持“买入”评级。预计公司2017～2019 年营收分别为50.92 亿元（+25.44%）、 68.37 亿元（+34.27%）、92.65 亿元（+35.51%），归属上市公司股东的净利为3.68 亿元（+29.06%）、4.91 亿元（+33.59%）、6.55 亿元（+33.20%），EPS 分别为 0.58 元、0.78 元、1.04 元。基于运营商光通信网络相关设备器材招标超预期、数据中心需求持续提升、公司高端芯片加速突破，参考行业平均（考虑公司光芯片领域突出地位，可比公司添加了相关IC 设计公司等）估值水平及公司历史估值中枢，给予2018 年40x PE，对应目标价31.20，维持“买入”评级。
    风险提示。2018 年国内电信市场传输及接入投资不及预期，公司25G 光芯片进展低于预期。